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LESD8D3.3CAT5 G旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,使其成为电路板空间有限的设计中ESD保护的理想选择。由于其尺寸小,适用于手机、MP3播放器、数码相机和许多其他电路板空间有限的便携式应用。

VC:14V@6A,Cj_Typ:15pF,丝印:D8

13V 单路双向 200W TVS防护器件;12V电源防护。

有效防止浪涌和瞬变对电子设备造成损害,是中高电压环境下电源线、信号接口的理想防护组件。

防止浪涌和瞬态事件对电子设备造成损害,是高压电源线、信号接口的理想防护组件

是一款超低电容TVS(瞬态电压抑制器),旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件,免受ESD(静电放电)引起的过应力影响。

SOD-123FL封装的高效双向TVS瞬态抑制二极管,专为精密电子设备提供卓越过电压保护。具有12V的反向工作电压VRWM和高达10.1A的双向峰值脉冲电流IPP能力,能在瞬间吸收并抑制电源线、信号线上的浪涌及瞬态干扰,有效防止静电放电和过压事件对电路造成的损害,是现代低电压应用的理想防护组件。

这款低容静电放电(ESD)抑制器有助于保护敏感电子设备免受静电放电影响。它们可增强集成电路的片上保护功能,非常适合对低电容要求较高的低压、高速信号线应用。可用于USB 2.0、IEEE1394、HDMI和GPIO等高速协议的数据端口.

采用GPP工艺芯片,具有低漏电、高对档率等优势 ,有较好的高温特性及稳定性。

高分子ESD

VBR=7V,VC=9V,IPP=21.7A,单向

采用GPP工艺芯片,具有低漏电、高对档率等优势 ,有较好的高温特性及稳定性。

采用GPP工艺芯片,具有低漏电、高对档率等优势 ,有较好的高温特性及稳定性。

采用GPP工艺芯片,具有低漏电、高对档率等优势 ,有较好的高温特性及稳定性。

有效防止静电放电和过压对电路造成损害,尤其适用于高速数据线、1/0接口等低电压系统的瞬态防护需求。

采用GPP工艺芯片,具有低漏电、高对档率等优势 ,有较好的高温特性及稳定性。

旨在保护电压敏感型电子元件免受静电放电(ESD)和其他瞬态影响。出色的钳位能力、低泄漏电流、低电容和快速响应时间,为易受ESD影响的设计提供了一流的保护。小尺寸、低电容和高水平的ESD保护相结合,使其成为HDMI、Display Port和MDDI接口等应用的灵活解决方案。它旨在替代手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、液晶电视等消费设备应用中的多层压敏电阻(MLV)。

反向截止电压(Vrwm):5V 击穿电压:6.4V 最大钳位电压:9.2V

这款静电放电(ESD)为电压敏感部件提供保护。绝佳的箱位功能、低泄漏和快速响应时间为接触ESD的设计提供了业内最佳的保护。由于尺寸小,因此适用于智能手机、智能手表或板空间非常宝贵的其它许多便携式/可穿戴应用.

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