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极性:单向 反向截止电压(Vrwm):26V 击穿电压:28.9V 最大钳位电压:42.1V

特性:适用于表面贴装应用,以优化电路板空间。 低轮廓封装。 内置应力消除。 玻璃钝化结。 低电感。 出色的钳位能力。应用:I/O接口。 AC/DC电源

极性:双向 反向截止电压(Vrwm):5V 击穿电压:6.4V 最大钳位电压:9.2V

特性:适用于表面贴装应用,以优化电路板空间。 低轮廓封装。 内置应力消除。 玻璃钝化结。 低电感。 出色的钳位能力。应用:I/O接口。 AC/DC电源

特性:150W 峰值脉冲功率(8/20μs)。 超低泄漏:纳安级别。 工作电压:24V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2 (ESD) 抗扰度测试:空气放电 ±30kV,接触放电 ±30kV。 -IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns)。应用:手机及配件。 笔记本电脑和手持设备

极性:双向 反向截止电压(Vrwm):36V 击穿电压:40V 最大钳位电压:58.1V

PulseGuard静电放电(ESD)抑制器有助于保护敏感电子设备免受静电放电影响。它们可增强集成电路的片上保护功能,非常适合对低电容要求较高的低压、高速应用。采用USB 2.0、IEEE1394、HDMI和DVI等高速协议的数据端口可从这项新技术中获益

PESD1CAN是一款双向TVS二极管阵列,采用领先的单片硅技术,响应时间快,ESD钳位电压低,是保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。PESD1CAN符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,空气放电±15kV,接触放电±8kV。它采用无铅SOT - 23封装,旨在保护连接到数据和传输线路的元件免受电压浪涌的影响。

采用GPP工艺芯片,具有低漏电、高对档率等优势 ,有较好的高温特性及稳定性。

特性:400 W 峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。 双向和单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 保护两条数据线。应用:自动取款机数据线。 网络

极性:双向 反向截止电压(Vrwm):18V 击穿电压:20V 最大钳位电压:29.2V

这些双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。

特性:400 瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 保护两条 7V 至 12V 线路。 低电容。 低钳位电压。 固态硅雪崩技术。 IEC 61000-4-2 (ESD) ±15kV (空气),±8kV (接触)。应用:具有扩展共模范围的 RS-485 收发器保护。 安全系统

特性:适用于表面贴装应用,以优化电路板空间。 低轮廓封装。 内置应力消除。 玻璃钝化结。 低电感。 出色的钳位能力。应用:I/O接口。 AC/DC电源

特性:适用于表面贴装应用,以优化电路板空间。 低轮廓封装。 内置应力消除。 玻璃钝化结。 低电感。 出色的钳位能力。应用:I/O接口。 AC/DC电源

特性:适用于表面贴装应用,以优化电路板空间。 薄型封装。 内置应力消除。 玻璃钝化结。 低电感。 出色的钳位能力。应用:I/O接口。 AC/DC电源

SMBJ 系列专为保护敏感电子设备免受雷电及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

ESD,静电防护,电压钳位,应用在信号口

RCLAMP0502B是一款超低电容TVS阵列,采用领先的单片硅技术,响应时间快,ESD钳位电压低,是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。RCLAMP0502B电容极低,典型值为0.3pF,符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,空气放电±15kV,接触放电±8kV。该器件采用3引脚无铅SOT - 523封装。小尺寸、低电容和高水平ESD保护的特性使其非常适合用于HDMI、MDDI、天线电路、USB 2.0。

0402 24V Ipp=5A 双向