特性:平面技术。 无卤且符合ROHS标准。 关断电压:3.3V。 在10×1000μs波形下具有600W的峰值脉冲功率能力。 出色的钳位能力。 快速响应时间
JKSEMI(金开盛)DO-214AA(SMB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VBR=6.4V, Vc=9.2V, Ipp=65.3A 双向
Brightking(君耀电子)SMB(DO-214AA)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VRWM:5V, IPP:4.7A, CJ:0.8pF
TECH PUBLIC(台舟)SOT-23-6
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:出色的钳位能力。 低泄漏电流。 低电容。 高浪涌能力。 玻璃钝化芯片。 环氧树脂封装。应用:电信。 计算机
BORN(伯恩半导体)DO-214AA(SMB)
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VC:16.7V@25A,CJ_Max:185pF,丝印:5B2
R+O(宏嘉诚)SOT-23
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VRWM:7V/12V, IPP:17A, CJ:75pF
TECH PUBLIC(台舟)SOT-23
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:230W峰值脉冲功率 (ip = 8/20μs)。 小型0805封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。应用:10/100/1000以太网。 集成磁体/RJ45连接器
BORN(伯恩半导体)SOD-323
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DFN1610-2L贴片封装单向高容ESD管,7V工作电压,Vc_16V;IPP_120A;适合用于手机、便携式设备、商用机器、电源以及众多其他工业/消费类应用。
R+O(宏嘉诚)DFN1610-2L
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMBJ系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
RUILON(瑞隆源)DO-214AA(SMB)
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3.3/5.0V深回扫超低电容超低钳位4路双向ESD防护器件,USB3.X/USB4.0/HDMI2.0/2.1等高速通讯防护。
ElecSuper(静芯)DFN2510-10L
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VC:15V@5A,CJ_Max:0.8pF,丝印:F54
R+O(宏嘉诚)SOT-363
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ESD9L系列旨在保护需要超低电容的电压敏感元件,使其免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低电容、低泄漏和快速响应时间,使这些器件成为在电路板空间有限的设计中进行ESD保护的理想选择。由于其电容低,适用于USB 2.0高速和天线线路应用等高频率设计。
onsemi(安森美)SOD-923
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:0.25 pF(典型值)电容。 低泄漏电流。 低钳位电压。 快速响应时间(<1ns)。 能够承受多次ESD冲击。 与标准回流安装程序兼容。应用:HDMI 1.3接口。 LCD、HDTV
Littelfuse(美国力特)0603
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旨在保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
R+O(宏嘉诚)SOD-123FL
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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TPD1E01B04 适用于 USB-C 和天线且采用 0402 和 0201 封装的 0.18pF、±3.6V、±15kV ESD 保护二极管
TI(德州仪器)X1-SON-2(0.6x1)
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P6KE 系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)DO-15
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非常低电容的双向静电放电(ESD)保护二极管,采用非常小的SOD323(SC-76)表面贴装器件(SMD)塑料封装,旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态电压的损害。
Nexperia(安世)SOD-323
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SMCJ 系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件所引发的电压瞬变影响。
R+O(宏嘉诚)SMC(DO-214AB)
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TPD1E10B09 采用 0402 封装、具有 6A 8/20us 浪涌的 10pF、±9V、±20kV ESD 保护二极管
TI(德州仪器)X1-SON-2(0.6x1)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMAJ系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
Littelfuse(美国力特)DO-214AC(SMA)
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