SMCJ 系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件所引发的电压瞬变影响。
R+O(宏嘉诚)SMC(DO-214AB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMBJ专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
Littelfuse(美国力特)DO-214AA
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMAJ系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
Littelfuse(美国力特)DO-214AC(SMA)
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SMBJ专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
Littelfuse(美国力特)DO-214AA
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMBJ专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
Littelfuse(美国力特)DO-214AA
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:超低泄漏:nA级别。 工作电压:24V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2(ESD)抗扰度测试 空气放电:±30kV 接触放电:±30kV。 -IEC 61000-4-4(EFT)40A(5/50ns)。 -IEC 61000-4-5(雷电)5A(8/20μs)。应用:USB 2.0电源和数据线。 机顶盒和数字电视
Leiditech(雷卯电子)SOT-23
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VRWM:70V, IPP:24A, CJ:3pF
TECH PUBLIC(台舟)SOT-143-4
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMBJ专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
Littelfuse(美国力特)DO-214AA
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VBR=6.2V, Vc=9.8V, Ipp=8A ,Cd=80pF
onsemi(安森美)SC-88
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMCJ 系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件所引发的电压瞬变影响。
R+O(宏嘉诚)SMC(DO-214AB)
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SMCJ 系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件所引发的电压瞬变影响。
R+O(宏嘉诚)SMC(DO-214AB)
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VRWM:5V, IPP:5.5A, CJ:0.5pF
TECH PUBLIC(台舟)SOT-666-6
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SMCJ 系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件所引发的电压瞬变影响。
R+O(宏嘉诚)SMC(DO-214AB)
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SMDJ 系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件所引发的电压瞬变影响。
R+O(宏嘉诚)SMC(DO-214AB)
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SMDJ 系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件所引发的电压瞬变影响。
R+O(宏嘉诚)SMC(DO-214AB)
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采用小型SOT23(TO - 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装的ESD保护器件,旨在保护两条汽车车载网络总线线路免受静电放电(ESD)和其他瞬态现象造成的损坏。
Nexperia(安世)TO-236AB
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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TPD4EUSB30 适用于 USB 3.0 且具有 5A 8/20us 浪涌额定值的四通道 0.8pF、5.5V、±8kV ESD 保护二极管
TI(德州仪器)USON-10(1x2.5)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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5.0SMDJ 系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)DO-214AB(SMC)
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5KP 系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)R-6
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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采用GPP工艺芯片,具有低漏电、高对档率等优势 ,有较好的高温特性及稳定性。
Zhengxin(正芯)SOD-123FL
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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