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二极管 / 晶体管型号

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VRWM=5V,Vc=20V,Ipp=4A 双向

LRC(乐山无线电)SOD-882
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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ESD5451X是一款双向TVS(瞬态电压抑制器),专为保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计,使其免受ESD(静电放电)、EFT(电快速瞬变)和雷击造成的过应力影响。ESD5451X可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV(接触和空气放电)的ESD保护,并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达8A(8/20 μs)的峰值脉冲电流。ESD5451X采用FBP - 02C封装。标准产品无铅且无卤。

WILLSEMI(韦尔)FBP-02C
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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CJ:0.35pF

FUXINSEMI(富芯森美)DFN1006-2
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:低泄漏电流。 低钳位电压。 IEC 61000-4-2 (ESD 空气放电):±30 kV。 IEC 61000-4-2 (ESD 接触放电):±30 kV。 IEC 61000-4-5 (雷击 8/20 μs):3.5 A。应用:手机及配件。 个人数字助理

R+O(宏嘉诚)DFN1006-2L
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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芯片静电放电抑制器专为保护敏感电子设备免受静电放电 (ESD) 威胁而设计。该产品能对瞬态电压做出几乎即时的反应,并在 ESD 瞬态期间将其有效钳位到低电压。该产品使用压敏聚合物,具有低电容和极低的泄漏电流。因此,在正常工作模式下,该器件对电路几乎无影响。由于其高关态阻抗和低电容,它对高速数字电路尤其透明。大量测试表明,信号不会失真或中断。使用静电放电抑制器进行 ESD 保护,设备在保护电路免受 ESD 影响的同时,能保持高速数据信号的完整性。这种材料的特性造就了双向器件,这意味着每条浪涌路径仅需一个器件,即可提供全面的 ESD 保护,而无需考虑浪涌极性。

BORN(伯恩半导体)0402
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:120 瓦峰值脉冲功率(tp = 8/20μs)。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 保护一条数据/电源线。应用:基于微处理器的设备。 个人数字助理(PDA)

BORN(伯恩半导体)SOD-523
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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该SOD-123FL封装双向TVS瞬态抑制二极管,专为30V系统设计,具备高效双向过电压保护功能。器件能在正负方向上承载4.1A峰值脉冲电流IPP,快速响应并钳位电路中的瞬态高压波动,有效防止浪涌、静电放电对电子设备造成损害,是中高电压应用场景下接口及电源线的理想防护元件。

HXY MOSFET(华轩阳电子)SOD-123FL
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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表面贴装瞬态电压抑制器,功率200W。截止电压:5.0V~440V

晶导微电子SOD-123FL
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMF系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

R+O(宏嘉诚)SOD-123FL
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:低泄漏电流。 低钳位电压。 IEC 61000-4-2 (ESD Air): ±30 kV。 IEC 61000-4-2 (ESD Contact): ±25 kV。 IEC 61000-4-5 (Lightning 8/20 μs): 4 A。应用:手机及配件。 个人数字助理

R+O(宏嘉诚)DFN1006-2
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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有效防止浪涌、瞬变等对电子设备造成损害,是高电压应用中电源线及信号接口的理想防护元件。

JSMSEMI(杰盛微)SOD-123FL
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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旨在保护对电压敏感的电子元件免受静电放电和其他瞬态影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,为暴露于静电放电的设计提供一流的保护。

UMW(友台半导体)SOD-323
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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采用GPP工艺芯片,具有低漏电、高对档率等优势 ,有较好的高温特性及稳定性。

GOODWORK(固得沃克)SOD-123FL
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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表面贴装瞬态电压抑制器,功率200W。截止电压:5.0V~440V

晶导微电子SOD-123FL
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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采用GPP工艺芯片,具有低漏电、高对档率等优势 ,有较好的高温特性及稳定性。

GOODWORK(固得沃克)SOD-123FL
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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采用GPP工艺芯片,具有低漏电、高对档率等优势 ,有较好的高温特性及稳定性。

GOODWORK(固得沃克)SOD-123FL
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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5.0V 低容单路单向ESD静电防护器件,20kV,CJ:0.5pF;HDMI/USB/NFC/RF超高速接口通讯防护。

ElecSuper(静芯)SOD-923
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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TVS瞬态抑制二极管

KUUSOD-123FL
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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芯片静电放电抑制器专为保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)威胁而设计。该产品能对瞬态电压做出几乎即时的响应,并在静电放电瞬态期间将其有效钳位至低电压。该产品采用压敏聚合物,其固有电容低且漏电流极小。因此,在正常工作模式下,该器件对电路几乎无影响。由于其高关态阻抗和低电容,它对高速数字电路尤其透明。大量测试表明,信号不会发生失真或中断。使用静电放电抑制器进行静电放电保护时,器件在保护电路免受静电放电影响的同时,能保持高速数据信号的完整性。这种材料的特性造就了双向器件,这意味着无论浪涌极性如何,每条浪涌路径仅需一个器件即可提供全面的静电放电保护。

BORN(伯恩半导体)0402
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:单向四线ESD保护。 60瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。 工作电压:5V。 低电容:0.2pF (I/O到I/O)。 保护四条数据线。 低泄漏电流。应用:串行ATA。 PCI Express

DOWO(东沃)DFN2510-10L
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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