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二极管 / 晶体管型号

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专门设计用于保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。

R+O(宏嘉诚)DO-214AC(SMA)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:适用于表面贴装应用,以优化电路板空间。 低轮廓封装。 玻璃钝化结。 低电感。 塑料封装具有保险商实验室可燃性

MDD(辰达半导体)SOD-123FL
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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采用GPP工艺芯片,具有低漏电、高对档率等优势 ,有较好的高温特性及稳定性。

GOODWORK(固得沃克)DO-214AC(SMA)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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712,7V/12V两路双向ESD静电防护器件,30kV,CJ:40pF;RS485/RS422串口通讯防护。

ElecSuper(静芯)SOT-23
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VC:15V@5A,Cj_Typ:0.3pF,丝印:5R2P

R+O(宏嘉诚)DFN2510-10L
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:适用于表面贴装应用,以优化电路板空间。 低轮廓封装。 玻璃钝化结。 低电感。 塑料封装具有保险商实验室可燃性

MDD(辰达半导体)SOD-123FL
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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采用GPP工艺芯片,具有低漏电、高对档率等优势 ,有较好的高温特性及稳定性。

GOODWORK(固得沃克)DO-214AC(SMA)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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表面贴装瞬态电压抑制器,功率400W。关断电压:5.0V~440V

晶导微电子SMA
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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采用GPP工艺芯片,具有低漏电、高对档率等优势 ,有较好的高温特性及稳定性。

GOODWORK(固得沃克)DO-214AC(SMA)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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采用GPP工艺芯片,具有低漏电、高对档率等优势 ,有较好的高温特性及稳定性。

GOODWORK(固得沃克)DO-214AC(SMA)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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表面贴装瞬态电压抑制器,功率400W。关断电压:5.0V~440V

晶导微电子SMA
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:适用于表面贴装应用,以优化电路板空间。 低轮廓封装。 玻璃钝化结。 低电感。 塑料封装具有保险商实验室可燃性

MDD(辰达半导体)SOD-123FL
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:超小封装:1.0×0.6×0.5 mm。 超低电容:典型值0.3 pF。 超低泄漏:nA级别。 低工作电压:±5 V。 低钳位电压。 2引脚无铅封装。应用:智能手机。 显示端口

TECH PUBLIC(台舟)DFN1006-2
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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表面贴装瞬态电压抑制器,功率400W。关断电压:5.0V~440V

晶导微电子SMA
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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表面贴装瞬态电压抑制器,功率400 W。

晶导微电子SMA
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:适用于表面贴装应用,以优化电路板空间。 低轮廓封装。 玻璃钝化结。 低电感。 塑料封装具有美国保险商实验室可燃性

晶导微电子SMA
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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表面贴装瞬态电压抑制器,功率400W。关断电压:5.0V~440V

晶导微电子SMA
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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表面贴装瞬态电压抑制器,功率400W。关断电压:5.0V~440V

晶导微电子SMA
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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表面贴装瞬态电压抑制器,功率400W。关断电压:5.0V~440V

晶导微电子SMA
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:150瓦峰值脉冲功率(脉冲宽度8/20μs)。 高速数据线瞬态保护,符合IEC 61000-4-2(ESD)标准,空气放电±15kV,接触放电±8kV;符合IEC 61000-4-4(EFT)标准,40A(5/50ns)。 工作电压:5V。 保护一条双向线路或两条单向线路。 低工作电压和钳位电压。 固态硅雪崩技术。应用:USB电源和数据线保护。 显示器和平板显示器I2C总线保护

TECH PUBLIC(台舟)SOT-23
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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