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VR=40V,Vc=64.5V,Ipp=9.3A 双向
Littelfuse(美国力特)DO-214AA
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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钳位电压 最大:70V SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2011) SMD标号: V7 二极管类型: 双向TVS 击穿电压: 27.8V 击穿电压 最小: 25.4V 封装类型: SOT-23 工作温度范围: -65°C 到 +150°C 截止电压: 24V 最高击穿电压: 30.3V 电容, Cd典型值 @ Vr: 11pF 脉冲峰值功率: 200W 表面安装器件: 表面安装 钳位电压, 8/20us 最大: 70V
Nexperia(安世)SOT-23
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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采用小型SOT23表面贴装器件(SMD)塑料封装的ESD保护器件,旨在保护两条汽车车内网络总线线路免受静电放电(ESD)和其他瞬态现象造成的损坏。
Nexperia(安世)SOT-23
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMAJ系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
Littelfuse(美国力特)DO-214AC(SMA)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMCJ 系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件所引发的电压瞬变影响。
R+O(宏嘉诚)SMC(DO-214AB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMDJ 系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件所引发的电压瞬变影响。
R+O(宏嘉诚)SMC(DO-214AB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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8KV接触, 15KV空隙放电
Nexperia(安世)SOT-353
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMDJ 系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件所引发的电压瞬变影响。
R+O(宏嘉诚)SMC(DO-214AB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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TPD2E001 适用于 USB 2.0 且具有 1nA 最大漏电流和 VCC 引脚的双路 1.5pF、5.5V、±8kV ESD 保护二极管
TI(德州仪器)SOT-553-5
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMDJ 系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件所引发的电压瞬变影响。
R+O(宏嘉诚)SMC(DO-214AB)
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SMCJ 系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件所引发的电压瞬变影响。
R+O(宏嘉诚)SMC(DO-214AB)
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ESD204 适用于 USB 和 HDMI 且具有 5.5A 浪涌额定值的四通道 0.55pF、±3.6V、±30kV ESD 保护二极管
TI(德州仪器)USON-10(1x2.5)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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R+O(宏嘉诚)SMC
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5.0SMDJ 系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)DO-214AB(SMC)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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ESD9R旨在为用于超低电流应用(如人体传感器)的专用标准产品(ASSP)和专用集成电路(ASIC)提供静电放电(ESD)保护。这些器件在关闭状态下,从0°C到50°C的泄漏电流低于1 nA。在ESD事件期间,这些器件会开启,将ESD钳位到集成电路(IC)的安全电压水平。这些器件还具有高速数据线低电容和小封装尺寸的优势,适用于空间受限的设计。
onsemi(安森美)SOD-923
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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5.0SMDJ 系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)DO-214AB(SMC)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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5.0SMDJ 系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)DO-214AB(SMC)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VRWM:2.8V, IPP:10A, CJ:6pF
TECH PUBLIC(台舟)SO-8
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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5.0SMDJ 系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)DO-214AB(SMC)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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5.0SMDJ 系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)DO-214AB(SMC)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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