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5.0SMDJ 系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)DO-214AB(SMC)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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ESDS304 适用于 USB 和以太网且具有 12A 8/20us 浪涌额定值的四通道 2.3pF、3.6V、±30kV ESD 保护二极管
TI(德州仪器)SOT-23-5
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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5.0SMDJ 系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)DO-214AB(SMC)
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VBR=7.5V, Vc=10V, Cd=75pF 两对管
SEMTECHSOT-23
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:低泄漏电流。 低钳位电压。 IEC 61000-4-2 (ESD 空气放电): ±30kV。 IEC 61000-4-2 (ESD 接触放电): ±30kV。 IEC 61000-4-5 (雷电 8/20μs): 10A。应用:手机及配件。 个人数字助理
R+O(宏嘉诚)SOP-8
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R+O(宏嘉诚)SMC
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TPD2EUSB30 适用于 USB 3.0 且具有 5A 浪涌额定值的双通道 0.7pF、5.5V ±8kV ESD 保护二极管
TI(德州仪器)SOT(9x3)
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采用小型SOT23(TO - 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装的ESD保护器件,旨在保护两条汽车车载网络总线线路免受静电放电(ESD)和其他瞬态现象造成的损坏。
Nexperia(安世)SOT-23
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适用于表面安装应用,以优化电路板空间。
JSMSEMI(杰盛微)SOD-123FL
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特性:超小封装:1.0x0.6x0.5mm。 超低电容:典型值15pF。 超低泄漏:纳安级别。 低工作电压:±5V。 低钳位电压。 2引脚无铅封装。应用:智能手机和平板电脑。 电视和机顶盒
TECH PUBLIC(台舟)DFN1006-2
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30KV接触, 30KV空隙放电
Prisemi(芯导)DFN1006-2L
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采用GPP工艺芯片,具有低漏电、高对档率等优势 ,有较好的高温特性及稳定性。
Zhengxin(正芯)SOD-123FL
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12KV接触, 15KV空隙放电
Prisemi(芯导)DFN1006-2L
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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普容3.3V,单路双向ESD静电防护器件,30kV,CJ:12pF;音频/视频/通讯防护。
ElecSuper(静芯)DFN1006-2L
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特性:玻璃钝化芯片。 200 W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000 μs,重复率(占空比):0.01%。 低泄漏。 单向和双向单元。 出色的钳位能力。 极快的响应时间。 符合 RoHS 标准
DOWO(东沃)SOD-123
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专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)SOD-123FL
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LESD5Z2.5T1G系列旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,使这些器件非常适合用于电路板空间有限的设计中的ESD保护。
LRC(乐山无线电)SOD-523
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特性:低泄漏电流。低钳位电压。IEC 61000-4-2 (ESD Air):±30 kV。IEC 61000-4-2 (ESD Contact):±30 kV。IEC 61000-4-5 (Lightning 8/20 μs):10 A。应用:手机及配件。个人数字助理
R+O(宏嘉诚)SOD-323
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:双向ESD保护。 70瓦峰值脉冲功率(tp = 8 / 20μs)。 工作电压:5V。 低钳位电压。 低泄漏电流。 固态硅雪崩技术。应用:基于微处理器的设备。 个人数字助理(PDA)
DOWO(东沃)SOD-923
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VRWM=5V,Vc=11.6V,Ipp=9.4A 双向
LRC(乐山无线电)SOD-323
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