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二极管 / 晶体管型号

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特性:超低泄漏:nA级别。 工作电压:5V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2(ESD)抗扰度测试 空气放电:±30kV 接触放电:±30kV。IEC 61000-4-4(EFT)40A(5/50ns)。IEC 61000-4-5(Lightning)4.5A(8/20μs)。应用:智能手机。 显示端口

Leiditech(雷卯电子)DFN1006-2
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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极性:单向 反向截止电压(Vrwm):15V 击穿电压:16.7V 最大钳位电压:24.4V

TWGMC(迪嘉)DO-214AA(SMB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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P6sMB系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件所引发的电压瞬变影响。

R+O(宏嘉诚)SMB
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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丝印712 7V+12V

MSKSEMI(美森科)SOT-23
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VRWM:3.3V, IPP:14A, CJ:1pF

TECH PUBLIC(台舟)SOD-323
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:适用于表面贴装应用,以优化电路板空间。 薄型封装。 内置应力消除。 玻璃钝化结。 低电感。 出色的钳位能力。应用:I/O接口。 AC/DC电源

MDD(辰达半导体)DO-214AA(SMB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

R+O(宏嘉诚)SMB
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SOT-23封装双路非对称ESD防护器件(12Vto-7V,IO to GND为12V防护,GND to IO为7V防护 ),VC:26V@17A;Cj_Typ:55pF;丝印:712

R+O(宏嘉诚)SOT-23
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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旨在保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。

R+O(宏嘉诚)SOD-123FL
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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R+O(宏嘉诚)0201
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:适用于表面贴装应用,以优化电路板空间。 薄型封装。 内置应力消除。 玻璃钝化结。 低电感。 出色的钳位能力。应用:I/O接口。 AC/DC电源

MDD(辰达半导体)DO-214AA(SMB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VBR=31.1V, Vc=45.4V, Ipp=13.2A 双向

Brightking(君耀电子)SMB(DO-214AA)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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采用超小型SOD323 (SC-76) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装的极低电容双向静电放电 (ESD) 保护二极管,旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬变造成的损坏。

Nexperia(安世)SOD-323
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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这款专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它适用于对电压和静电放电敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。专门用于保护连接到电源、数据和传输线路的敏感元件,使其免受由静电放电(ESD)、电缆放电事件(CDE)和电快速瞬变(EFT)引起的过电压影响。

TECH PUBLIC(台舟)SOT-23
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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这款低容静电放电(ESD)抑制器有助于保护敏感电子设备免受静电放电影响。它们可增强集成电路的片上保护功能,非常适合对低电容要求较高的低压、高速信号线应用。可用于USB 2.0、IEEE1394、HDMI和GPIO等高速协议的数据端口.

TECH PUBLIC(台舟)SOD-323
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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空气30KA 接触30KA

BORN(伯恩半导体)SOD-323
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:适用于表面贴装应用,以优化电路板空间。 低轮廓封装。 出色的钳位能力。 IEC61000-4-2 ESD 30kV 空气放电、30kV 接触放电合规。 保护一条 I/O 线。 无铅部件符合 RoHS 要求。应用:个人数字助理(PDA)。 手机及配件

FUXINSEMI(富芯森美)SOD-123
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VRWM:5V, IPP:4A, CJ:0.8pF

TECH PUBLIC(台舟)DFN2510-10
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:60瓦峰值脉冲功率(ip = 8/20μs)。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 低电容(Cj = 0.3pF 典型值,I/O 到 I/O)。应用:USB3.0、USB2.0、以太网。 HDMI 2.0、Displayport 1.3、eSATA

BORN(伯恩半导体)DFN-10(2.5x1.0)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:玻璃钝化芯片。 600W峰值脉冲功率能力,波形为10/1000μs,重复率(占空比)为0.01%。 出色的钳位能力。 低反向泄漏。 极快的响应时间。 引脚和本体符合RoHS标准

DOWO(东沃)SMB(DO-214AA)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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