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旨在保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。

用于ESD保护的双路Transil阵列

特性:230 瓦峰值脉冲功率(tp = 8/20μs)。 微型 SOD323 封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。应用:10/100/1000 以太网。 集成磁体/RJ45 连接器

低电容双向静电放电(ESD)保护二极管,旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。该器件采用无引脚超小型SOD882(DFN1006 - 2)表面贴装器件(SMD)塑料封装。

24V 两路双向ESD静电防护器件,30kV,CJ:15pF;CAN/CANFD/12V、24V电源防护。

DO-214AA 600W VRWM=70V 双向 功率TVS

采用超小型无引脚DSN1006 - 2 (SOD993B)表面贴装器件(SMD)封装的瞬态电压抑制器,旨在保护单条线路免受高浪涌电流和其他瞬态影响。

这款低容静电放电(ESD)抑制器有助于保护敏感电子设备免受静电放电影响。它们可增强集成电路的片上保护功能,非常适合对低电容要求较高的低压、高速信号线应用。可用于USB 2.0、IEEE1394、HDMI和GPIO等高速协议的数据端口.

这些双片式硅浪涌保护二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备及其他应用。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。

3.3/5.0V深回扫超低电容超低钳位4路单向ESD防护器件,8A、20kV、0.45pF;USB3.X/USB4.0/HDMI等高速通讯防护。

特性:超低泄漏:nA级别。 工作电压:5V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2(ESD)抗扰度测试 空气放电:±30kV 接触放电:±30kV。 -IEC 61000-4-4(EFT)40A(5/50ns)。 -IEC 61000-4-5(Lightning)6A(8/20μs)。应用:USB 2.0电源和数据线。 机顶盒和数字电视

特性:1500W浪涌能力,持续时间1ms。 出色的钳位能力。 低齐纳阻抗。 快速响应时间:通常从0V到最小击穿电压小于1.0ps。 典型反向电流小于1μA(高于10V时)

SMFJ系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变而设计。与SMA封装相比,SOD - 123FL封装的占位面积缩小了50%,且拥有业内较低的封装高度(1.1mm)。

TVSDIODE6VWM10.3VCSMB

SMB封装玻璃钝化芯片, 10/1000μs波形600W峰值脉冲功率能力,出色的钳位能力,极快的响应时间。专门设计用于保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。

SMCJ系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

SMAJ系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。

VR=12V,Vc=19.9V,Ipp=30.2A 单向

SMBJ专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

专门设计用于保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。