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SMCJ 系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件所引发的电压瞬变影响。
R+O(宏嘉诚)SMC(DO-214AB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMCJ 系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件所引发的电压瞬变影响。
R+O(宏嘉诚)SMC(DO-214AB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VRWM:3.3V, IPP:3A, CJ:0.25pF
TECH PUBLIC(台舟)DFN2510-10
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMBJ专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
Littelfuse(美国力特)DO-214AA
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMBJ专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
Littelfuse(美国力特)DO-214AA
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VBR=7V, Vc=9.2V, Ipp=43.5A 双向
VISHAY(威世)DO-214AC(SMA)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMAJ系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
Littelfuse(美国力特)DO-214AC(SMA)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMCJ 系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件所引发的电压瞬变影响。
R+O(宏嘉诚)SMC(DO-214AB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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该器件旨在保护高速接口,如超高速USB、高清多媒体接口(HDMI)、DisplayPort、外部串行高级技术附件(eSATA)和低压差分信号(LVDS)接口免受静电放电(ESD)影响。该器件包含四个用于超高速信号线的高级ESD保护二极管结构,并采用无引脚小型DFN2510A - 10(SOT1176 - 1)塑料封装。所有信号线均采用特殊的二极管配置进行保护,仅提供0.5 pF的超低线路电容。这些二极管采用独特的回滞结构,以便为下游组件提供高达±10 kV接触ESD电压的保护,超过了IEC 61000 - 4 - 2标准的4级要求。
Nexperia(安世)DFN2510-10
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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采用SOT23塑料封装的单向双路ESD保护二极管。旨在保护多达两条传输线或数据线免受静电放电(ESD)损坏。
Nexperia(安世)SOT-23
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:超低泄漏:nA级别。工作电压:±13.5V。低钳位电压。符合以下标准:IEC 61000-4-2(ESD)抗扰度测试,空气放电:±30kV。IEC 61000-4-4(EFT)40A(5/50ns)。IEC 61000-4-5(Lightning)6A(8/20μs)。应用:手机。音频接口连接
TECH PUBLIC(台舟)SOT-323
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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汽车用双线TVS,SOT23-3L封装,用于CAN总线(12 V系统)
ST(意法半导体)SOT-23
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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专门设计用于保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
R+O(宏嘉诚)SMC(DO-214AB)
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SMDJ 系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件所引发的电压瞬变影响。
R+O(宏嘉诚)SMC(DO-214AB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMDJ 系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件所引发的电压瞬变影响。
R+O(宏嘉诚)SMC(DO-214AB)
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SRV05-4HTG-D将低电容轨到轨二极管与一个额外的齐纳二极管集成在一起,以保护每个I/O引脚免受ESD和高浪涌事件的影响。这款坚固的器件可根据IEC 61000-4-5第2版(tP = 8/20μs)安全吸收10A浪涌电流,且性能不会下降,还能根据IEC 61000-4-2承受最小±30kV的ESD。其极低的负载电容也使其成为保护高速信号引脚的理想选择。
Littelfuse(美国力特)SOT-23-6
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMDJ 系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件所引发的电压瞬变影响。
R+O(宏嘉诚)SMC(DO-214AB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SM6T Transil 系列专为保护敏感设备而设计,可抵御符合 IEC 61000 - 4 - 2 和 MIL STD 883 方法 3015 标准的静电放电,以及符合 IEC 61000 - 4 - 4 和 5 标准的电气过应力。这些器件通常用于防护 600 W(10/1000 μs)以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源(SMPS),在这些应用中,需要低漏电流和高结温以确保长期的可靠性和稳定性。SM6T 采用 SMB 封装(SMB 焊盘尺寸符合 IPC 7531 标准)。
ST(意法半导体)SMB(DO-214AA)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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5V,5A,Cj=0.8pF
SEMTECHSLP1610-4
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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ST(意法半导体)SOT-23-6L
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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