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采用SOT23塑料封装的单向双路ESD保护二极管。旨在保护多达两条传输线或数据线免受静电放电(ESD)损坏。

SMF3.3 专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

TPD4E1U06 采用 SOT-23 和 SC70 封装的四路 0.8pF、5.5V、±15kV ESD 保护二极管

5.0SMDJ 系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

ESDS314 适用于 USB 和以太网且具有 25A 8/20us 浪涌额定值的四通道 4.5pF、3.6V、±30kV ESD 保护二极管

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采用DFN1006 2(SOD882)无引脚超小型表面贴装器件(SMD)塑料封装的超低电容双向静电放电(ESD)保护二极管,旨在保护一条信号线免受ESD及其他瞬态现象造成的损坏。

5.0SMDJ 系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

IP4234CZ6旨在保护对容性负载敏感的输入/输出(I/O)USB 2.0端口免受静电放电(ESD)损坏。该器件采用π型滤波结构,配合小串联电阻,依据IEC 61000 - 4 - 2标准4级要求,为信号和电源组件提供必要保护,可承受超过±8 KV接触放电的ESD电压。由于采用了连接齐纳二极管的轨到轨二极管架构,ESD保护功能不受电源电压影响。IP4234CZ6采用单片硅技术制造,在微型6引脚SOT457封装中集成了两个超低电容π型滤波ESD保护二极管和一个齐纳二极管。

5KP 系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

5KP 系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

VRWM=7V,Vc=16,Ipp=5A 双向

低电容静电放电 (ESD) 保护二极管采用超小贴片塑料封装,旨在保护一条信号线免受 ESD 和其他瞬态损坏。

采用GPP工艺芯片,具有低漏电、高对档率等优势 ,有较好的高温特性及稳定性。

0521/0531,5.0V 单路双向ESD静电防护器件,20kV,CJ:0.25pF;HDMI/USB/NFC/RF超高速接口通讯防护。

旨在保护电压敏感型电子元件免受静电放电(ESD)和其他瞬态影响。出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间,为易受ESD影响的设计提供了一流的保护。小尺寸、低电容和高水平的ESD保护相结合,使其成为HDMI、Display Port和MDDI接口等应用的灵活解决方案。它旨在替代手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、液晶电视等消费设备应用中的多层压敏电阻(MLV)。

有效防止过压、浪涌对敏感电子设备造成损害。小巧封装,适用于各类低电压系统及I/O接口的瞬态保护应用。

24V 两路双向ESD静电防护器件,30kV,CJ:15pF;CAN/CANFD/12V、24V电源防护。

采用GPP工艺芯片,具有低漏电、高对档率等优势 ,有较好的高温特性及稳定性。

防止浪涌、静电放电等对电子设备造成冲击损害,是电源线和信号接口的理想防护选择。