有效防止过压、浪涌对敏感电子设备造成损害。小巧封装,适用于各类低电压系统及I/O接口的瞬态保护应用。
TDSEMIC(拓电半导体)SMB
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:保护一条数据线。 超低泄漏:nA级别。 工作电压:3.3V。 超低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2(ESD)抗扰度测试 空气放电:±30kV 接触放电:±30kV。 -IEC61000-4-5(闪电)8A(8/20μs)。应用:手机及配件。 个人数字助理
Leiditech(雷卯电子)DFN1006-2
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有效防止静电放电和过压对电路造成损害,尤其适用于高速数据线、1/0接口等低电压系统的瞬态防护需求。
JSMSEMI(杰盛微)SMB(DO-214AA)
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表面贴装瞬态电压抑制器,功率600瓦,关断电压:5.0V~440V
晶导微电子SMB
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)SOD-123FL
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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ESD,静电防护,电压钳位,应用在信号口
RUILON(瑞隆源)SOD-882
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用于保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
R+O(宏嘉诚)SMA
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专门设计用于保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
R+O(宏嘉诚)SMA
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:600W峰值脉冲功率能力,波形为10/1000 μs,重复率(占空比):0.01%。低轮廓表面贴装应用,以优化电路板空间。出色的钳位能力。低增量浪涌电阻。从0V到VBR的快速响应时间,单向类型通常小于1 ps,双向类型为5 ns。玻璃钝化芯片结。无铅部件符合RoHS要求。符合无卤要求
FUXINSEMI(富芯森美)DO-214AA(SMB)
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极性:双向 反向截止电压(Vrwm):15V 击穿电压:16.7V 最大钳位电压:24.4V
TWGMC(迪嘉)DO-214AA(SMB)
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TVS管 Pppm: 200W, VRWM: 5V
AnBon(安邦)SOD-123
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表面贴装瞬态电压抑制器,功率600瓦,关断电压:5.0V~440V
晶导微电子SMB
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特性:80W 峰值脉冲功率 (8/20 μs)。 保护一条数据或电源线。 工作电压:±3.3V。 超低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2 (ESD) 抗扰度测试。 -空气放电:±30kV。应用:手机及配件。 电池保护
TECH PUBLIC(台舟)SOD-923(0402)
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表面贴装瞬态电压抑制器,功率600瓦,关断电压:5.0V~440V
晶导微电子SMB
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GBLC系列DC印字,12V 单路双向ESD静电防护器件,30kV,CJ:0.8pF;RJ45千兆网口高速通讯防护。
ElecSuper(静芯)SOD-323
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特性:适用于表面贴装应用,以优化电路板空间。 低轮廓封装。 内置应力消除。 玻璃钝化结。 低电感。 出色的钳位能力。应用:I/O接口。 AC/DC电源
MDD(辰达半导体)DO-214AC(SMA)
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本产品是一款高效的静电和浪涌保护元器件,具有57.1A的电流承载能力,5.8V的工作电压,以及10.5pF的典型结电容。采用单通道设计,Bi双向类型,确保电路安全稳定运行,适用于多种精密电子设备。
HXY MOSFET(华轩阳电子)SMB(DO-214AA)
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JJW(捷捷微)SOD-323
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采用GPP工艺芯片,具有低漏电、高对档率等优势 ,有较好的高温特性及稳定性。
GOODWORK(固得沃克)DO-214AA(SMB)
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极性:双向 反向截止电压(Vrwm):12V 击穿电压:13.3V 最大钳位电压:19.9V
TWGMC(迪嘉)DO-214AA(SMB)
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