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ESD401 采用 0402 封装的 0.77pF、±5.5V、±24kV ESD 保护二极管

特性:低泄漏电流。低钳位电压。IEC 61000-4-2 (ESD Air): ±20 kV。IEC 61000-4-2 (ESD Contact): ±15 kV。IEC 61000-4-5 (Lightning 8/20 μs): 6.0 A。应用:手机及配件。个人数字助理

SMCJ 系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件所引发的电压瞬变影响。

SOT-23 7V Cj=45pF 双向 静电TVS PCAN/串口

SMBJ专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

SMBJ专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

SMBJ专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

ESD73034D是一款超低电容TVS(瞬态电压抑制器)阵列,旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件,使其免受ESD(静电放电)引起的过应力影响。ESD73034D集成了四对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准,ESD73034D可提供高达±10 kV(接触放电)的ESD保护;根据IEC61000 - 4 - 5标准,它能承受高达5.5A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD73034D采用DFN2510 - 10L封装。标准产品无铅且无卤素。

TPD4E1U06 采用 SOT-23 和 SC70 封装的四路 0.8pF、5.5V、±15kV ESD 保护二极管

SMAJ系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。

SMAJ系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。

SMBJ专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

VR=28V,Vc=45.4V,Ipp=13.3A 双向

特性:低泄漏电流。低钳位电压。IEC 61000-4-2 (ESD 空气放电):±18 kV。IEC 61000-4-2 (ESD 接触放电):±15 kV。IEC 61000-4-5 (雷电 8/20 μs):3A。应用:手机及配件。个人数字助理

该表面贴装阵列系列可抑制静电放电(ESD)和其他瞬态过电压事件。这些元件用于满足国际电气兼容性(IEC 瞬态抗扰度标准 IEC 61000 - 4 - 2 静电放电要求),可帮助保护数据、信号或控制线路上的敏感数字或模拟输入电路,其电压高达 5VDC。这些单片硅阵列由专为瞬态电压抑制(TVS)设计的特殊结构组成。这些结构的尺寸和形状经过专门设计,以实现瞬态保护。与压敏电阻(MOV)相比,该二极管阵列具有更低的钳位电压和更低的关态电容。

用于数据保护的TRANSIL阵列

特性:400W 峰值脉冲功率耗散。 玻璃钝化芯片结构。 提供单向和双向版本。 出色的钳位能力。 快速响应时间。 无铅表面处理;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件

SMAJ瞬态抑制二极管(Transil)系列专为保护敏感设备而设计,可抵御符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电,以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力。这些器件通常用于防护400 W(10/1000 μs)以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源(SMPS),这些应用需要低漏电流和高结温,以确保长期的可靠性和稳定性。SMAJ采用SMA封装(SMA焊盘尺寸符合IPC 7531标准)。

特性:200 W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000 μs,重复率(占空比):0.01%。 低外形封装。 可波峰焊和回流焊。 符合 IEC 61000-4-2 的 ESD 抗扰度:接触放电 ±30 kV,空气放电 ±30 kV。 根据 AEC-Q101 的 ESD 能力:人体模型:H3B 类 > 8 kV。 低增量浪涌电阻,出色的钳位能力。 “低噪声”技术,响应时间极快。 可提供 AEC-Q101 认证产品。 与 SOD-123w 封装外形、SOD-123F 和 SOD-123FL 兼容

截止电压5.0V深回扫snap-back超低电容超低钳位DFN2510-L双向ESD防护器件,IPP_6.5A、VC_6.5V、0.35pF、ESD 15KV;常用于USB,DVI,HDMI,PCI Express等高速通讯防护。