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二极管 / 晶体管型号

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特性:出色的钳位能力。 薄型封装和低电感。 在1.2/50μs和8/20μs波形下具有高脉冲峰值功率能力。 快速响应时间:通常从0V到最小击穿电压小于1.0ps。 高温焊接:引脚可承受260°C/40s。 塑料封装符合UL 94V-0阻燃等级。 适用于表面贴装应用,以优化电路板空间

Leiditech(雷卯电子)SMB(DO-214AA)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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采用小型SOT23(TO - 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装的ESD保护器件,旨在保护两条汽车车内网络总线免受静电放电(ESD)和其他瞬态现象造成的损坏。

Nexperia(安世)TO-236AB
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMCJ 系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件所引发的电压瞬变影响。

R+O(宏嘉诚)SMC(DO-214AB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMDJ 系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件所引发的电压瞬变影响。

R+O(宏嘉诚)SMC(DO-214AB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMDJ 系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件所引发的电压瞬变影响。

R+O(宏嘉诚)SMC(DO-214AB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:200 W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000 μs,重复率(占空比):0.01%。 低外形封装。 可波峰焊和回流焊。 符合 IEC 61000-4-2 的 ESD 抗扰度:接触放电 ±30 kV,空气放电 ±30 kV。 根据 AEC-Q101 的 ESD 能力:人体模型:H3B 类 > 8 kV。 低增量浪涌电阻,出色的钳位能力。 “低噪声”技术,响应时间极快。 可提供 AEC-Q101 认证产品。 与 SOD-123w 封装外形、SOD-123F 和 SOD-123FL 兼容

VISHAY(威世)SMF
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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是单向TVS保护二极管系列,专为钳制ESD和浪涌等有害瞬变而设计。器件的额定ESD冲击消散值高达 ±30kV(接触放电和空气间隙放电),并且符合IEC61000-4-2国际标准中规定的最高级别(4级)。结合了该器件的强大钳位性能和低电容,是一款出色的TVS二极管,可在许多不同应用中保护数据线路和电源线路。采用业界通用的引线式SOD-323封装,可轻松焊接。

TI(德州仪器)SOD-323
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMDJ 系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件所引发的电压瞬变影响。

R+O(宏嘉诚)SMC(DO-214AB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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5.0SMDJ 系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

R+O(宏嘉诚)DO-214AB(SMC)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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5V,3A,Cj=0.9pF

SEMTECHSOT-666-6
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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TVS2200 22V 平缓钳位浪涌保护器件

TI(德州仪器)WSON-6-EP(2x2)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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5.0SMDJ 系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

R+O(宏嘉诚)DO-214AB(SMC)
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TPD2EUSB30A 适用于 USB 3.0 且具有 5A 浪涌额定值的双通道 0.7pF、3.6V、±8kV ESD 保护二极管

TI(德州仪器)SOT(9x3)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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TPD4E1B06 采用 SOT 和 SC70 封装且具有 0.5nA 最大泄漏电流的四路 0.7pF、±5.5V、±12kV ESD 保护二极管

TI(德州仪器)SC-70-6
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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5.0SMDJ 系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

R+O(宏嘉诚)DO-214AB(SMC)
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ESD122 适用于 USB Type-C 和 HDMI 2.0 的双路 0.2pF、±3.6V、±17kV ESD 保护二极管

TI(德州仪器)X2-SON-3(0.6x1.3)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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NUP4202W1浪涌保护器件旨在保护高速数据线免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和雷击的影响。全新的NUP4202W1是一款低电容浪涌保护二极管阵列,用于保护通信系统、计算机及计算机外设等敏感电子设备,使其免受静电放电事件或瞬态过压情况造成的损坏。由于其电容较低,可用于高速输入/输出(I/O)数据线。NUP4202W1采用集成设计,在单个封装(SC - 88)中集成了具有浪涌额定值的低电容导向二极管和浪涌保护二极管。若出现瞬态情况,导向二极管会将瞬态电流引导至电源的正轨或接地。浪涌保护器件可保护电源线免受电压过高的影响,避免损坏电源及任何下游组件。

onsemi(安森美)SC-88
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SN65220 单路通用串行总线端口瞬态抑制器

TI(德州仪器)SOT-23-6
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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设计用于保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。

R+O(宏嘉诚)R-6
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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AECQ-101

DOWO(东沃)DO-218AB
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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