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二极管 / 晶体管型号

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特性:结钝化优化设计,采用钝化各向异性整流技术。 TJ = 175°C能力,适用于高可靠性和汽车应用要求。 仅提供单向极性。 低泄漏电流。 低正向压降。 高浪涌能力。应用:用于敏感电子设备,防止由感性负载开关和雷击引起的电压瞬变,特别是用于汽车负载突降保护应用

VISHAY(威世)DO-218AB
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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保护敏感半导体组件免受静电放电 (ESD) 和其他电压引起的瞬态事件的损坏或干扰。具有大横截面积结,可传导高瞬态电流,提供理想的板级保护电气特性,如快速响应时间、低工作电压。使设计人员能够在不适合使用阵列的应用中灵活保护一条双向线路。

UMW(友台半导体)DFN1006-2
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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PESDNC2FD3V3BS可保护敏感半导体元件,避免其因静电放电(ESD)和其他电压引起的瞬态事件而损坏或故障。它们具有大截面积结,可传导高瞬态电流,具备适用于电路板级保护的理想电气特性,如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中,它使设计人员能够灵活地保护一条双向线路。

Prisemi(芯导)DFN1006-2L
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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LESD8D5.0CB1T5G旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏电流和快速响应时间,使其成为电路板空间有限设计中静电放电保护的理想选择。由于其尺寸小巧,适用于手机、数码相机和许多其他电路板空间有限的便携式应用。

LRC(乐山无线电)SOD-882
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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AZ5325-01F是一款低电容瞬态电压抑制器(TVS),旨在为数据、控制或电源线提供静电放电(ESD)保护。AZ5325-01F典型电容仅为8pF,用于保护对寄生效应敏感的系统,使其免受过电压和过电流瞬态事件的影响。它符合IEC 61000-4-2(ESD)4级标准(±15kV空气放电、±8kV接触放电)、IEC 61000-4-4(电气快速瞬变 - EFT)(40A、5/50 ns)、超快充电器件模型(CDM)ESD和电缆放电事件(CDE)等标准。AZ5325-01F采用超小型DFN1006封装,可保护一条数据线,为系统设计人员在空间有限的情况下保护单条数据线提供了灵活性。

KUUDFN1006-2
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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ESD5Z3V3系列旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,使这些元件非常适合在电路板空间有限的设计中用于ESD保护。由于其尺寸小,适用于手机、便携式设备、数码相机、电源和许多其他便携式应用。

YONGYUTAI(永裕泰)SOD-523
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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有效防止浪涌、瞬态事件对电子设备造成冲击,是中高电压应用的理想选择,保障电源线和信号接口安全稳定。

JSMSEMI(杰盛微)SOD-123FL
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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PESD5V0S1BBN旨在保护电压敏感元件免受因静电放电(ESD)造成的损坏或闭锁。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,为电路板级易受ESD影响的设计提供了一流的保护。由于其体积小且为双向设计,非常适合用于手机、MP3播放器和需要音频线路保护的便携式应用。

DOWO(东沃)SOD-523
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VC:16V@5A,CJ_Max:0.8pF,丝印:5U

R+O(宏嘉诚)DFN1006-2L
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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ESD静电防护在高速数据传输接口上提供卓越的静电防护性能,是高集成度电子设备的理想ESD防护组件。

GOODWORK(固得沃克)DFN1006-2
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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LESD8LL5.0T5G 旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,使这些器件非常适合在电路板空间有限的设计中用于 ESD 保护。由于其尺寸小,适用于手机、MP3 播放器、数码相机和许多其他电路板空间有限的便携式应用。

LRC(乐山无线电)SOD-882
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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反向截止电压(Vrwm):40V 击穿电压:44.4V 最大钳位电压:64.5V

TWGMC(迪嘉)SOD-123FL
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:0603inch/1608mm 引脚尺寸。 是高频、低电压应用的理想 ESD 保护器件。 超过 IEC 61000-4-2 测试要求。 超低电容(典型值 1.5pF)。 极低泄漏电流。 快速响应时间。应用:高速数据端口(USB 2.0、IEEE 1394)。 计算机及外设(手机、PDA、HDTV、DVD 播放器)

BORN(伯恩半导体)0603
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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普容5.0V,单路双向ESD静电防护器件,30kV,CJ:12pF;音频/视频/通讯防护。

ElecSuper(静芯)SOD-523
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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有效防止静电放电和过压对电路造成损害,尤其适用于高速数据线、1/0接口等低电压系统的瞬态防护需求。

TDSEMIC(拓电半导体)SMA(DO-214AC)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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双向 TVS 二极管,采用领先的单晶硅技术,提供快速响应时间和低 ESD 钳位电压,是保护对电压敏感的高速数据线的理想解决方案。

UMW(友台半导体)DFN1006-2
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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防止浪涌、静电放电等对电子设备造成冲击损害,是电源线和信号接口的理想防护选择。

JSMSEMI(杰盛微)SOD-123FL
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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表面贴装瞬态电压抑制器,功率200W。截止电压:5.0V~440V

晶导微电子SOD-123FL
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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表面贴装瞬态电压抑制器,功率200W。截止电压:5.0V~440V

晶导微电子SOD-123FL
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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0402封装ESD

BORN(伯恩半导体)0402
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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