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二极管 / 晶体管型号

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VBR=5.6V,Vc=8V,Ipp=3A

SHIKUES(时科)SOT-23
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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该SMA封装的双向TVS瞬态抑制二极管,专为36V工作电压下的双向过压保护而设计。器件具备出色的瞬态响应能力,能承受峰值脉冲电流IPP高达6.9A,在正负方向均可高效吸收与钳位异常电压,有效防止浪涌、静电放电等对电路造成的损害,确保电子设备在高压瞬变环境下稳定可靠运行。

TDSEMIC(拓电半导体)SMA(DO-214AC)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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反向截止电压(Vrwm):30V 击穿电压:33.3V 最大钳位电压:48.4V

TWGMC(迪嘉)SOD-123FL
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SOT-523 5V 单向

BORN(伯恩半导体)SOD-523
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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BSD5C121V - ES旨在保护电压敏感元件,使其免受因静电放电(ESD)造成的损坏或闭锁影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,为板级易受ESD影响的设计提供了同类最佳的保护。由于其体积小巧且采用双向设计,它非常适合用于手机、MP3播放器以及需要音频线路保护的便携式应用

ElecSuper(静芯)SOD-523
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:截止电压:±5.5V 最大。 每条线路根据 IEC61000-4-2(ESD)的瞬态保护:空气放电 ±30kV,接触放电 ±30kV。 IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns)。 IEC61000-4-5(浪涌):6A(8/20ps)。 超低电容:CJ = 10pF(典型值)。 低泄漏电流。 低钳位电压:VCL = 11.0V(典型值),IPP = 16A(TLP)。 固态硅技术

YANGJIE(扬杰)DFN1006-2L
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:适用于高速、低电压应用的最佳ESD保护。 符合RoHS标准且无卤。 超低电容:0.2pF(典型值)。 低泄漏电流:< 200nA。 快速响应时间:< 1ns。 双向单线路保护。应用:智能手机/移动互联网设备。 笔记本电脑/台式电脑

BORN(伯恩半导体)0603
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VC:25V@100A,CJ_Max:280pF,丝印:H12T

R+O(宏嘉诚)DFN1610-2L
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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712,7V/12V两路双向ESD静电防护器件,30kV,CJ:40pF;RS485/RS422串口通讯防护。

ElecSuper(静芯)SOT-23
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VBR=5.32V(Min),Ipp=3A

Nexperia(安世)SOT-23
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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这款专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它适用于对电压和静电放电敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。专门用于保护连接到电源、数据和传输线路的敏感元件,使其免受由静电放电(ESD)、电缆放电事件(CDE)和电快速瞬变(EFT)引起的过电压影响。

TECH PUBLIC(台舟)DFN1006-2
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SDxx 系列专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电(ESD)敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备及其他应用场景。这些器件非常适合电路板空间有限的情况

MDD(辰达半导体)SOD-323
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:适用于表面贴装应用,以优化电路板空间。 低外形封装。 玻璃钝化结。 低电感。 塑料封装通过UL易燃性认证

TWGMC(迪嘉)DO-214AC(SMA)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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公开页面暂无产品说明。

R+O(宏嘉诚)SOD-123FL
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VRWM:5V, IPP:8A, CJ:15pF

TECH PUBLIC(台舟)SOD-923(0402)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:低泄漏电流。 低钳位电压。 IEC 61000-4-2 (ESD 空气放电):±30 kV。 IEC 61000-4-2 (ESD 接触放电):±30 kV。 IEC 61000-4-5 (雷电 8/20 μs):20 A。应用:手机及配件。 个人数字助理

R+O(宏嘉诚)SOD-323
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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有效防止静电放电和过压对电路造成损害,尤其适用于高速数据线、1/0接口等低电压系统的瞬态防护需求。

JSMSEMI(杰盛微)SMA
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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这款低容静电放电(ESD)抑制器有助于保护敏感电子设备免受静电放电影响。它们可增强集成电路的片上保护功能,非常适合对低电容要求较高的低压、高速信号线应用。可用于USB 2.0、IEEE1394、HDMI和GPIO等高速协议的数据端口.

TECH PUBLIC(台舟)0402
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

R+O(宏嘉诚)DO-214AC(SMA)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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W02F

MSKSEMI(美森科)SOT-23
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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