海量元器件型号，
快速搜索匹配。

特性:低泄漏电流。SOD-323表面贴装封装。IEC 61000-4-2 (ESD Air):±30 kV。IEC 61000-4-2 (ESD Contact):±30 kV。IEC 61000-4-5 (Lightning 8/20 μs):15 A。应用:手机及配件。个人数字助理

这款低容静电放电(ESD)抑制器有助于保护敏感电子设备免受静电放电影响。它们可增强集成电路的片上保护功能,非常适合对低电容要求较高的低压、高速信号线应用。可用于USB 2.0、IEEE1394、HDMI和GPIO等高速协议的数据端口.

特性:超低泄漏:nA级别。 工作电压:5V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2 (ESD) 抗扰度测试:空气放电 ±30kV,接触放电 ±30kV。 -IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns)。 -IEC 61000-4-5 (Lightning) 8A (8/20μs)。应用:USB 2.0电源和数据线。 机顶盒和数字电视

8KV接触, 15KV空隙放电

表面贴装瞬态电压抑制器,功率600瓦,关断电压:5.0V~440V

UAD8C05L01包含采用专有硅雪崩技术制造的背对背瞬态电压抑制(TVS)二极管,可为可能遭受破坏性静电放电(ESD)的电子设备提供保护。这些耐用的二极管能够安全地吸收高达IEC61000 - 4 - 2国际标准规定的最大等级的重复性ESD冲击,且性能不会下降。背对背配置在存在交流信号时为数据线提供对称的ESD保护。

采用GPP工艺芯片,具有低漏电、高对档率等优势 ,有较好的高温特性及稳定性。

公开页面暂无产品说明。

SMA封装玻璃钝化芯片, 10/1000μs波形400W峰值脉冲功率能力,出色的钳位能力,极快的响应时间。专门设计用于保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。

特性:适用于表面贴装应用,以优化电路板空间。 低轮廓封装。 内置应力消除。 玻璃钝化结。 低电感。 出色的钳位能力。 重复率(占空比):0.01%。 快速响应时间:单向类型从0伏到击穿电压通常小于1.0ps。 典型反向泄漏电流:高于10V时小于1μA。 高温焊接:端子在260°C下持续10秒

特性:60 瓦峰值脉冲功率(tp = 8/20μs)。 微型 DFN1006 封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。应用:手机及配件。 基于微处理器的设备

PESDxxxU1UA系列是超低电容瞬态电压抑制器阵列,旨在保护便携式电子设备和智能手机等应用。该系列提供双向配置,对于8/20μs波形的额定功率为350瓦。在较高的工作频率或较快的边沿速率下,插入损耗和信号完整性是主要关注点。该系列在微型SOD - 323封装中提供超低电容和低泄漏电流。

GBLC系列CC印字,3.3V 单路双向ESD静电防护器件,30kV,CJ:0.8pF;RJ45千兆网口高速通讯防护。

SJD12A(C)XXL01系列产品旨在保护电压敏感元件免受高压、高能瞬态影响。具有出色的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。因其尺寸小巧,非常适合用于手机、便携式设备、商用机器、电源及许多其他工业/消费类应用。

ESD5341N是一款低电容TVS(瞬态电压抑制器),专为保护高速数据接口而设计。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件,使其免受ESD(静电放电)引起的过应力影响。ESD5341N集成了一对低电容导向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准,ESD5341N可提供高达±20 kV(接触放电)的ESD保护;根据IEC61000 - 4 - 5标准,它能承受高达4A(8/20 μs)的峰值脉冲电流。ESD5341N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤素。

专门设计用于保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。

峰值脉冲功率(tp=8/20μs)(PPP):100W 峰值反向工作电压(VRWM):5V 击穿电压(VBR):6V 最大钳位电压(VC):15.5V 结电容(CJ):55PF

普容5.0V,单路双向ESD静电防护器件,30A,30kV,CJ:200pF;音频/视频/通讯防护。

Peak Pulse Current ( tp =8/20μs ) (note1) IPP 17A,反向截断电压VRWM 7V+12V 反向漏泄电流IR=1μA,VC12V 17A=26V VC7V 17A=12V 结电容75PF

专门设计用于保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。