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极性:单向 反向截止电压(Vrwm):24V 击穿电压:26.7V 最大钳位电压:38.9V

旨在为敏感组件提供保护,免受可能有害的电气瞬变影响,例如静电放电 (ESD)。

24V 两路双向ESD静电防护器件,30kV,CJ:15pF;CAN/CANFD/12V、24V电源防护。

特性:350W 峰值脉冲功率 (8/20μs)。 低工作电压:5V。 超低电容:最大 5 pF。 超低泄漏:nA 级别。 低钳位电压。 保护一条电源线或数据线。应用:USB 端口。 智能手机

极性:双向 反向截止电压(Vrwm):6.5V 击穿电压:7.22V 最大钳位电压:11.2V

TT0321SBX是一款超低电容瞬态电压抑制器(TVS),专为高速数据接口提供静电放电(ESD)保护而设计。其典型电容仅为0.45pF,旨在保护对寄生效应敏感的系统免受过电压和过电流瞬态事件的影响。TT0321SBX采用符合RoHS标准且无卤的1.0mm x 0.6mm x 0.55mm DFN1006-2L封装。

专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

LXES15AAA1-133聚合物静电放电(ESD)抑制器可保护敏感电子设备免受静电放电影响,且不会扭曲数据信号。该保护得益于其超低电容,仅0.05 pF(I/O到地),可帮助设备通过IEC61000-4-2 4级测试(15KV空气放电、8KV接触放电)。

特性:玻璃钝化芯片。 600W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 低泄漏。 单向和双向单元。 出色的钳位能力。 极快的响应时间。 符合 RoHS 标准

特性:60 瓦峰值脉冲功率(tp = 8/20μs)。 微型 DFN1006 封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。应用:手机及配件。 基于微处理器的设备

特性:适用于表面贴装应用,以优化电路板空间。低外形封装。玻璃钝化结。低电感。出色的钳位能力。在10/1000μs波形下具有400W峰值脉冲功率能力,重复率(占空比):0.01%。应用:I/O接口。AC/DC电源

专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

VRWM:5V, IPP:10A, CJ:80pF

特性:Pppm 400W。 VRWM 5.0V-440V。 玻璃钝化芯片。应用:钳位电压

SOT-523 5V Cj=0.5pF 双向 静电TVS 高速信号

功率TVS 电源口

8KV接触, 15KV空隙放电

特性:超低泄漏:nA级别。工作电压:5V。低钳位电压。符合以下标准:IEC 61000-4-2(ESD)抗扰度测试:空气放电 ±30kV,接触放电 ±30kV。IEC 61000-4-4(EFT)40A(5/50ns)。IEC 61000-4-5(Lightning)6A(8/20μs)。应用:USB 2.0电源和数据线。机顶盒和数字电视

特性:适用于表面贴装应用,以优化电路板空间。 低轮廓封装。 玻璃钝化结。 低电感。 出色的钳位能力。 10/1000μs 波形下 400W 峰值脉冲功率能力,重复率(占空比):0.01%。应用:I/O 接口。 AC/DC 电源