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二极管 / 晶体管型号

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专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

R+O(宏嘉诚)DO-214AA(SMB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:优秀的钳位能力。 低漏电流。 低电容。 高浪涌能力。 玻璃钝化芯片。 环氧树脂封装。应用:手机。 便携式设备

BORN(伯恩半导体)SOD-123F
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子

MDD(辰达半导体)SOD-323
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VBR=53.3V ,Vc=77.4V, Ipp=7.7A 双向

Brightking(君耀电子)SMB(DO-214AA)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:220 瓦峰值脉冲功率(tp = 8/20μs)。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±25kV 接触,±25kV 空气。应用:USB Vbus。 电源线电源管理

BORN(伯恩半导体)SOD-323
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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8KV接触, 15KV空隙放电

RUILON(瑞隆源)SOD-323
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VBR=16.7V ,Vc=24.4V, Ipp=24.6A 单向

Brightking(君耀电子)SMB(DO-214AA)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:适用于表面贴装应用,以优化电路板空间。 薄型封装。 内置应力消除。 玻璃钝化结。 低电感。 出色的钳位能力。应用:I/O接口。 AC/DC电源

MDD(辰达半导体)DO-214AA(SMB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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TECH PUBLIC(台舟)DFN1006-2
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SOD-123 200W VRWM=30V 双向 功率TVS 电源口等

BORN(伯恩半导体)SOD-123F
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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8KV接触, 15KV空隙放电

Brightking(君耀电子)SOT-143
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:Ppp 200W-VRWM 5.0V-440V。应用:钳位电压

CJ(江苏长电/长晶)SOD-123FL
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VBR=44.4V, Vc=64.5V, Ipp=9.3A 双向

Brightking(君耀电子)SMB(DO-214AA)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:适用于表面贴装应用,以优化电路板空间。 薄型封装。 内置应力消除。 玻璃钝化结。 低电感。 出色的钳位能力。应用:I/O接口。 AC/DC电源

MDD(辰达半导体)DO-214AA(SMB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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R+O(宏嘉诚)0201
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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P6sMB系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件所引发的电压瞬变影响。

R+O(宏嘉诚)SMB
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:适用于表面贴装应用,以优化电路板空间。 薄型封装。 玻璃钝化结。 低电感。 出色的钳位能力。 在10/1000μs波形下具有400W的峰值脉冲功率能力,重复率(占空比):0.01%。应用:I/O接口。 AC/DC电源

Brightking(君耀电子)SMA(DO-214AC)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:为高速、低电压应用提供最佳的ESD保护。 符合RoHS标准且无卤。 超低电容,0.2pF(典型值)。 低泄漏电流 (< 200nA)。 快速响应时间 (< 1ns)。 双向单线保护。应用:智能手机/移动互联网设备。 笔记本电脑/台式电脑

BORN(伯恩半导体)0603
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VBR=47.8V, Vc=69.4V ,Ipp=8.6A 双向

Brightking(君耀电子)SMB(DO-214AA)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SOT-23封装双通道双向ESD防护二极管,IPP_7A,VC_42V,Cj_25pF,ESD 30KV,适用于对电压和静电放电敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备,CAN通信等应用场景;

R+O(宏嘉诚)SOT-23
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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