特性:固态硅雪崩技术。 低工作和钳位电压。 多达四条I/O线路保护。 超低电容:典型值0.2pF(I/O到I/O)。 低泄漏。 低工作电压:5V。应用:数字视频接口(DVI)。 MDDI端口
BORN(伯恩半导体)DFN1610-6L
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VRWM:5V, IPP:4A, CJ:0.8pF
TECH PUBLIC(台舟)DFN2510-10
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:低电容:0.10 pF(典型值,双向)。低漏电流:50 nA @ 5V(最大值)。低钳位电压:19.90V(典型值,双向)@ (tp = 8x20μs, lpp = 2A)。应用:消费、移动和便携式电子产品
Littelfuse(美国力特)0402
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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这款静电放电(ESD)为电压敏感部件提供保护。绝佳的箱位功能、低泄漏和快速响应时间为接触ESD的设计提供了业内最佳的保护。由于尺寸小,因此适用于智能手机、智能手表或板空间非常宝贵的其它许多便携式/可穿戴应用.
TECH PUBLIC(台舟)SOT-23-6
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SOT-23 12V 双向 静电TVS PCAN/串口
BORN(伯恩半导体)SOT-23
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:1200W 峰值脉冲功率 (8/20μs)。 低泄漏:nA 级别。 低工作电压:5V。 超低钳位电压。 单电源线保护。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2 (ESD) 抗扰度测试:空气放电 ±30kV,接触放电 ±30kV。应用:电源管理。 工业应用
TECH PUBLIC(台舟)DFN1610-2
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VBR=13.5V ,Vc=19V, Cd=3pF 双向
RUILON(瑞隆源)SOD-323
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMCJ系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
晶导微电子SMC
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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该系列专门用于保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
RUILON(瑞隆源)DO-214AA(SMB)
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特性:450W 峰值脉冲功率 (8/20 μs)。 超低电容:典型值 2pF。 超低泄漏:nA 级别。 低工作电压:5V。 低钳位电压。 保护一条电源线或数据线。应用:USB 端口。 智能手机
Leiditech(雷卯电子)SOD-323
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SMCJ系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
晶导微电子SMC
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SMAJ系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
Littelfuse(美国力特)DO-214AC(SMA)
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SMAJ系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
Littelfuse(美国力特)DO-214AC(SMA)
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超低电容双向静电放电(ESD)保护二极管,属于TrEOS保护系列产品。该器件采用DSN0603 - 2(SOD962)无引脚超小型表面贴装器件(SMD)封装。TrEOS保护系列产品经过优化,可高度可靠地保护非常敏感的高速接口免受ESD脉冲影响。
Nexperia(安世)DFN0603-2
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SMAJ系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
Littelfuse(美国力特)DO-214AC(SMA)
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SMAJ系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
Littelfuse(美国力特)DO-214AC(SMA)
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SMAJ系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
Littelfuse(美国力特)DO-214AC(SMA)
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特性:玻璃钝化芯片。 400W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。 低反向泄漏。 响应时间极快。 引脚和本体符合 RoHS 标准
ZHIDE(志得)SMA
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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采用小型SOT23(TO - 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装的ESD保护器件,旨在保护两条汽车车内网络总线免受静电放电(ESD)和其他瞬态现象造成的损坏。
Nexperia(安世)SOT-23
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SMAJ系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
Littelfuse(美国力特)DO-214AC(SMA)
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