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TPD4E02B04-Q1 适用于 USB 3.0 和高速接口的汽车类四路 0.25pF、±3.6V、±12kV ESD 保护二极管
TI(德州仪器)USON-10(1x2.5)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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设计用于保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
R+O(宏嘉诚)R-6
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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DOWO(东沃)DO-218AB
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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采用小型SOT23(TO - 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装的ESD保护器件,旨在保护两条汽车车内网络总线线路免受静电放电(ESD)和其他瞬态现象造成的损坏。
Nexperia(安世)SOT-23
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DOWO(东沃)DFN1006-2L
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适用于表面安装应用,以优化电路板空间。
JSMSEMI(杰盛微)SOD-123FL
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反向截止电压(Vr):5V 钳位电压:9.8V 击穿电压:6V 峰值脉冲电流:17A 反向电流(Ir):10uA 工作温度:-55°C~+150°C@(Tj)
baocheng(宝乘)SOD-323
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特性:低泄漏电流。 低钳位电压。 IEC 61000-4-2 (ESD 空气放电): ±20 kV。 IEC 61000-4-2 (ESD 接触放电): ±20 kV。 IEC 61000-4-5 (雷击 8/20 μs): 4 A。应用:手机及配件。 个人数字助理
R+O(宏嘉诚)DFN1006-2L
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ESD静电防护在高速数据传输接口上提供卓越的静电防护性能,是高集成度电子设备的理想ESD防护组件。
GOODWORK(固得沃克)SOD-523
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特性:低泄漏电流。低钳位电压。IEC 61000-4-2(ESD 空气放电):±20 kV。IEC 61000-4-2(ESD 接触放电):±20 kV。IEC 61000-4-5(雷电 8/20 μs):4 A。应用:手机及配件。个人数字助理
R+O(宏嘉诚)DFN1006-2L
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普容3.3V,单路双向ESD静电防护器件,30kV,CJ:12pF;音频/视频/通讯防护。
ElecSuper(静芯)SOD-523
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此款SOD-123FL封装双向TVS瞬态抑制二极管,专为18V系统提供全面的正负向过电压防护。具备高达6.8A的峰值脉冲电流承载能力,能快速响应并钳位电路中的瞬态电压变化,有效抵御浪涌、静电放电等瞬态事件对电子设备造成的冲击损害,是中高电压应用场合下电源线及信号接口的理想保护选择。
HXY MOSFET(华轩阳电子)SOD-123FL
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防止浪涌、静电放电等对电子设备造成冲击损害,是电源线和信号接口的理想防护选择。
TDSEMIC(拓电半导体)SMA(DO-214AC)
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普容5.0V,两路单向ESD静电防护器件,30kV,CJ:150pF;电源/音频/视频/通讯防护。
ElecSuper(静芯)SOT-23
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VRWM:3.3V, IPP:11A, CJ:110pF
TECH PUBLIC(台舟)SOD-523
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特性:峰值功率耗散:200W@10 x 1000 μs脉冲。 低增量浪涌电阻。 出色的钳位能力。 快速响应时间。 低泄漏电流。 无卤且符合RoHS标准。应用:个人数字助理(PDA)。 手机及配件
TECH PUBLIC(台舟)SOD-123FL
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VRWM:5V, IPP:7A, CJ:10pF
TECH PUBLIC(台舟)DFN1006-2
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SOD-123FL封装单向TVS瞬态抑制二极管,专为高速、高效防护设计。具备5V额定反向工作电压VRWM及高达21.7A的单向峰值脉冲电流IPP能力,能在电路遭遇过压瞬变时快速响应,有效吸收并钳位异常电压,防止对敏感电子组件造成损害。适用于I/O接口、电源线等低电压系统的瞬态保护需求。
TDSEMIC(拓电半导体)SOD-123FL
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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表面贴装瞬态电压抑制器,功率200W。截止电压:5.0V~440V
晶导微电子SOD-123FL
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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ESD5471X是一款双向瞬态电压抑制器(TVS)。它专为保护连接到电源线、低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计,使其免受静电放电(ESD)、电快速瞬变(EFT)和雷击造成的过应力影响。ESD5471X可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30KV(接触和空气放电)的静电放电保护,并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达6A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD5471X采用FBP - 02C封装。标准产品无铅且无卤。
WILLSEMI(韦尔)FBP-02C
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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