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二极管 / 晶体管型号

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SJD12A(C)XXL01系列产品旨在保护电压敏感元件免受高压、高能瞬态影响。具有出色的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。因其尺寸小巧,非常适合用于手机、便携式设备、商用机器、电源及许多其他工业/消费类应用。

Brightking(君耀电子)SOD-123S
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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专门设计用于保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。

R+O(宏嘉诚)DO-214AC(SMA)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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极性Bidirectional峰值脉冲电流27.5A箝位电压7.3V,击穿电压4.1V反向关断电压3.3V

TDSEMIC(拓电半导体)SOD-123FL
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:超小封装:1.0×0.6×0.5 mm。超低电容:典型值30 pF。超低泄漏:nA级别。低工作电压:±5V。低钳位电压。2引脚无铅封装。应用:手机及配件。个人数字助理

TECH PUBLIC(台舟)DFN1006-2
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:480瓦峰值脉冲功率(tp = 8/20μs)。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2(ESD)抗扰度测试:空气放电 ±30kV,接触放电 ±30kV。应用:基于微处理器的设备。 个人数字助理(PDA)

BORN(伯恩半导体)SOD-323
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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静电TVS 供电口

BORN(伯恩半导体)DFN1006-2L
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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公开页面暂无产品说明。

R+O(宏嘉诚)DFN0603-2L
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:超低泄漏:nA级别。 工作电压:5V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2(ESD)抗扰度测试 空气放电:±30kV 接触放电:±30kV。 -IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns)。 -IEC61000-4-5(雷电)4.5A(8/20μs)。应用:智能手机。 显示端口

Leiditech(雷卯电子)DFN1006-2
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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此款SMB封装的Bi双向TVS瞬态抑制二极管,专为低电压系统提供高效双向过压保护。具备6V稳定的反向工作电压VRWM,在正负瞬变下能承受高达58.3A峰值脉冲电流IPP,快速响应并精确钳位瞬态电压,有效防护电源线、信号线免受雷击、静电等高电流冲击,是低压环境的理想浪涌防护器件。

TDSEMIC(拓电半导体)SMB
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SLMESD5V0D9 系列旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏电流和快速响应时间,使这些器件非常适合用于印刷电路板空间有限的设计中的 ESD 保护。

无锡松朗微SOD-123
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:600W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000 μs,重复率(占空比):0.01%。 低轮廓表面贴装应用,以优化电路板空间。 出色的钳位能力。 低增量浪涌电阻。 从 0V 到 VBR 的快速响应时间,单向类型通常小于 1 ps,双向类型为 5 ns。 玻璃钝化芯片结。 无铅部件符合 RoHS 要求。 符合无卤要求

FUXINSEMI(富芯森美)DO-214AA(SMB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:ESD 保护高速数据线,符合 IEC61000-4-2 标准。 ESD 接触放电典型值 8KV,最大值 15KV。 ESD 空气放电典型值 15KV,最大值 25KV。 表面贴装。 极低电容。 极低漏电流。应用:USB3.0、Firewire、DVI、HDMI、S-ATA。 Thunderbolt、Display Port

Leiditech(雷卯电子)0603
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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R05,5.0V 2路单向ESD静电防护器件,20kV,CJ:0.6pF;HDMI/USB高速接口通讯防护。

ElecSuper(静芯)SOT-143
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:适用于表面贴装应用,以优化电路板空间。 薄型封装。 玻璃钝化结。 低电感。 出色的钳位能力。 在10/1000μs波形下具有400W的峰值脉冲功率能力,重复率(占空比):0.01%。应用:I/O接口。 AC/DC电源

Brightking(君耀电子)SMA(DO-214AC)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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这款SMB封装的Bi双向TVS瞬态抑制二极管,特别适用于中等电压应用。具备28V稳定的双向反向工作电压VRWM,在正负瞬态过压情况下可承受高达13.3A的峰值脉冲电流IPP,提供快速响应及高效钳位功能,有效保护电路不受雷击、静电放电等瞬态事件影响,是电源线和信号线的理想双向浪涌防护选择。

TDSEMIC(拓电半导体)SMB
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SOD-123 200W VRWM=30V 单向 功率TVS 电源口

BORN(伯恩半导体)SOD-123F
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMBJ 系列专为保护敏感电子设备免受雷电及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

R+O(宏嘉诚)SMB(DO-214AA)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:为数据线提供瞬态保护,符合IEC 61000-4-2 (ESD) ±15kV(空气放电)、±12kV(接触放电),IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (tp = 5/50ns) 以及电缆放电事件 (CDE) 标准。 超小封装 (1.0 × 0.6 × 0.5mm)。 保护一条数据或I/O线。 低电容:0.5pF(最大值)。 低钳位电压。 低工作电压:12V。应用:手机及配件。 数字视频接口 (DVI)

TECH PUBLIC(台舟)DFN1006-2
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:优秀的钳位能力。 低漏电流。 低电容。 高浪涌能力。 玻璃钝化芯片。 环氧树脂封装。应用:手机。 便携式设备

BORN(伯恩半导体)SOD-123FL
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMBJ 系列专为保护敏感电子设备免受雷电及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

R+O(宏嘉诚)SMB(DO-214AA)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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