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二极管 / 晶体管型号

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R+O(宏嘉诚)0402
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:340W 峰值脉冲功率 (8/20μs)。超低电容:典型值 1pF。超低泄漏:nA 级别。工作电压:3.3V。低钳位电压。保护一条电源线或数据线。符合以下标准:IEC 61000-4-2 (ESD) 抗扰度测试。空气放电:±30kV。接触放电:±30kV。IEC 61000-4-5 (Lightning) 30A (8/20μs)。符合 RoHS 标准

YANGJIE(扬杰)SOD-323
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:低工作电压:±18V。 超低电容:0.3pF(典型值)。 超低泄漏:nA级别。 低钳位电压。 2引脚无铅封装。 符合以下标准: IEC 61000-4-2(ESD)抗扰度测试 空气放电:±20kV 接触放电:±15kV。应用:VGA, DVI, SDI, USB1.0, USB2.0, USB3.0, USB3.1。 高清多媒体接口(HDMI 1.3/1.4/2.0)

TECH PUBLIC(台舟)DFN1006-2(0402)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VBR=40V, Vc=58.1V, Ipp=10.3A 单向

Brightking(君耀电子)SMB(DO-214AA)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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这些双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。

onsemi(安森美)SOT-23
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:超小封装:1.0×0.6×0.5mm。 保护一条数据线或电源线。 超低泄漏:nA级别。 低工作电压:5V。 低钳位电压。 2引脚无铅封装。应用:电源管理。 工业应用

Leiditech(雷卯电子)DFN1006-2
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SOD-123 200W VRWM=5V 双向 功率TVS 电源口

BORN(伯恩半导体)SOD-123FL
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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峰值脉冲功率(tp=8/20μs)(PPP):500W 最大峰值脉冲电流(tp=8/20us)(IPP):20A 峰值反向工作电压(VRWM):7V-12V 击穿电压(VBR):8V-13.3V 钳位电压(VC):26V 结电容(CJ):60PF-70PF

MSKSEMI(美森科)SOT-23
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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TVS二极管可用于多种应用,如消费电子产品、电信和智能控制系统。

BORN(伯恩半导体)SMA(DO-214AC)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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功率TVS 电源口

BORN(伯恩半导体)SMA(DO-214AC)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:Ppp 200W-VRWM 5.0V-440V。应用:钳位电压

CJ(江苏长电/长晶)SOD-123FL
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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ESD静电防护在高速数据传输接口上提供卓越的静电防护性能,是高集成度电子设备的理想ESD防护组件。

GOODWORK(固得沃克)SOT-363
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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旨在保护对电压敏感的电子元件免受静电放电(ESD)和其他瞬态影响。出色的钳位能力、低泄漏电流、低电容和快速响应时间,为易受ESD影响的设计提供了一流的保护。小尺寸、低电容和高水平的ESD保护相结合,使其成为HDMI、Display Port和MDDI接口等应用的灵活解决方案。它旨在替代消费设备应用(如手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、液晶电视等)中的多层压敏电阻(MLV)。

CJ(江苏长电/长晶)SOT-353
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:超低泄漏:nA级别。 工作电压:5V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2(ESD)抗扰度测试:空气放电±15kV,接触放电±8kV。 -IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns)。 -IEC61000-4-5(闪电)5A(8/20μs)。应用:USB 2.0电源和数据线。 机顶盒和数字电视

Leiditech(雷卯电子)SOT-26
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向可选。 采用10/1000 μs波形时,具有600 W的峰值脉冲功率能力,重复率(占空比)为0.01%。 出色的钳位能力。应用:用于保护敏感电子设备,防止由感性负载开关和雷电在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、电信传感器单元的信号线上引起的电压瞬变

YANGJIE(扬杰)DO-214AA(SMB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:超低泄漏:nA级别。 工作电压:5V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2(ESD)抗扰度测试。 -空气放电:±30kV。 -接触放电:±30kV。应用:USB 2.0电源和数据线。 机顶盒和数字电视

Leiditech(雷卯电子)X1-DFN1006-2
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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LY143DA05UL是一款TVS阵列,采用领先的单片硅技术,可提供快速响应时间和低ESD钳位电压,使该器件成为保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。它符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,空气放电±25kV,接触放电±20kV。该器件采用无铅SOT - 143封装。其尺寸小、电容极低且具备高ESD浪涌保护能力,使其成为保护手机、数字视频接口、高速数据端口及许多其他便携式应用的理想选择。

Liown(里阳半导体)SOT-143
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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TVS (瞬态电压抑制器) 旨在保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件,免受 ESD (静电放电)、EFT (电气快速瞬变) 和雷击造成的过应力影响。

UMW(友台半导体)SLP1610-4
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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DO-214AA 600W VRWM=18V 双向 功率TVS 电源口

BORN(伯恩半导体)DO-214AA(SMB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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14V 单向

BORN(伯恩半导体)DO-214AA(SMB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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