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特性:超低泄漏:nA级别。低工作电压:3.3V。低钳位电压。符合以下标准:IEC 61000-4-2(ESD)抗扰度测试 空气放电:±20kV 接触放电:±15kV。IEC61000-4-5(闪电)4A(8/20s)。IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns)。应用:USB 2.0和USB 3.0端口。USB OTG
TECH PUBLIC(台舟)SOT-353
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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采用GPP工艺芯片,具有低漏电、高对档率等优势 ,有较好的高温特性及稳定性。
GOODWORK(固得沃克)DO-214AB(SMC)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMAJ系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
Littelfuse(美国力特)DO-214AC(SMA)
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SMCJ系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
晶导微电子SMC
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VBR=5V,Vc=9.2V,Ipp=65.2A
DIODES(美台)SMB
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SMCJ系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
晶导微电子SMC
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采用GPP工艺芯片,具有低漏电、高对档率等优势 ,有较好的高温特性及稳定性。
GOODWORK(固得沃克)DO-214AB(SMC)
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SMAJ系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
Littelfuse(美国力特)DO-214AC(SMA)
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SMAJ系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
Littelfuse(美国力特)DO-214AC(SMA)
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SMAJ系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
Littelfuse(美国力特)DO-214AC(SMA)
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瞬态电压抑制器,采用DFN1006-2(SOD882)超小型无引脚表面贴装器件封装,设计用于保护一条线路免受高浪涌电流和其他瞬变的影响。
Nexperia(安世)DFN1006-2(SOD-882)
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特性:适用于表面贴装应用,以优化电路板空间。低轮廓封装。内置应力消除。玻璃钝化结。低电感。出色的钳位能力。应用:I/O接口。AC/DC电源
Brightking(君耀电子)SMC(DO-214AB)
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SMAJ系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
Littelfuse(美国力特)DO-214AC(SMA)
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SMAJ系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
Littelfuse(美国力特)DO-214AC(SMA)
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SMBJ专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
Littelfuse(美国力特)DO-214AA
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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极低电容双向静电放电(ESD)保护二极管,属于TrEOS保护系列。该器件采用DSN0603 - 2(SOD962 - 2)无引脚超小型表面贴装器件(SMD)封装,旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。
Nexperia(安世)DSN0603-2
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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极低电容双向静电放电(ESD)保护二极管阵列,属于TrEOS保护系列。该器件采用DFN1006 - 3(SOT883 - 2)无引脚超小型表面贴装器件(SMD)塑料封装,旨在保护多达两条信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。
Nexperia(安世)DFN1006-3
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VBR=7.37V ,Vc=10.3V, Ipp=19.4A
Littelfuse(美国力特)SOD-123FL
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMF系列专为保护敏感电子设备而设计,使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。与SMA封装相比,SMF封装的占位面积缩小了50%,并且拥有业内较低的封装高度(1.1 mm)。
Littelfuse(美国力特)SOD-123FL
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功率TVS 600W 3.3V单向 电源口常用料 SMB封装
BORN(伯恩半导体)DO-214AA(SMB)
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