ESD静电防护在高速数据传输接口上提供卓越的静电防护性能,是高集成度电子设备的理想ESD防护组件。
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这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管,专为12V系统提供高级别的单通道保护。具备高达8A的峰值脉冲电流IPP能力,有效吸收和抑制双向瞬态ESD冲击,确保电子设备免受静电损害。8pF低结电容设计有助于保持高速信号线路传输质量,是现代高性能接口及便携式电子设备的理想ESD防护解决方案。
ESD静电防护在高速数据传输接口上提供卓越的静电防护性能,是高集成度电子设备的理想ESD防护组件。
特性:双向ESD保护。 80瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。 工作电压:5V。 超低电容:0.3pF(典型值)。 低钳位电压。 2引脚无铅封装。应用:智能手机。 显示端口
hFE:200-350,丝印:Y1
hFE:100-300,丝印:1AM
hFE:200-350,丝印:J3Y
hFE:100-300,丝印:G1
该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23封装,适用于低功率表面贴装应用。
该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23封装,适用于低功率表面贴装应用。
该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
hFE:200-350,丝印:Y2
采用小型SOT23(TO - 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN通用晶体管。
丝印1A
丝印J3Y
hfe=200~350
丝印J3
hFE:200-450,丝印:J6
适用于需要高效能、大电流信号放大的电子应用场合。
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