NPN通用晶体管,采用小型SOT23(TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
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特性:产品材料符合RoHS要求且无卤素。 S前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用;通过AEC-Q101认证且具备生产件批准程序(PPAP)能力
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特性:适用于高压应用中的开关和放大。 功率耗散为500mW。 符合J-STD-020标准的MSL 1级,LF最大峰值为260°C
特性:适用于音频驱动和输出级。 高集电极电流。 低集电极-发射极饱和电压。 互补类型:BCP54...BCP56(NPN)
NPN中功率晶体管,采用中功率SOT223 (SC-73)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
该双极功率晶体管适用于通用电源和切换输出,或开关稳压器、转换器和功率放大器应用中的驱动器级。
hFE:200-350 适合于低功耗、高增益应用场合,适用于各类精密电子设备及电路设计,是您微型化项目中的理想半导体元件。
hFE:200-350
应用于放大器低电平和低噪声。
特性:与MMBT3906互补。 SOT-23封装
该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
特性:与S8050互补。 集电极电流:lc = 0.5A
该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
(hFE):300@10mA,1V
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NPN 25V 0.5A 0.3W 150MHz hfe:120-400
特性:与MMBT5401互补。 适用于中功率放大和开关
特性:低漏电流:ICEX = 50nA(最大值),IBL = 50nA(最大值),VCE = 30V,VEB = 3V。 出色的直流电流增益线性度。 低饱和电压:VCE(sat) = 0.3V(最大值),IC = 50mA,IB = 5mA。 低集电极输出电容:Cob = 4pF(最大值),VCB = 5V。 与2N3906S互补
应用于一般切换和放大。
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