海量元器件型号，
快速搜索匹配。

特性:外延平面芯片结构。 提供互补PNP类型。 适用于中功率放大和开关

丝印:1AM

这款NPN型三极管具有0.2A的电流和420V的电压处理能力,放大倍数介于20到30之间,适用于高速切换和信号放大场景。其8MHz的频率响应适合精密控制与通信应用,确保系统的高效稳定运行。

特性:高集电极击穿电压:VCBO = 180V,VCEO = 160V。 低泄漏电流:ICBO = 50mA(Max.),VCP = 120V。 低饱和电压:VCE(sat) = 0.2V(Max.),IC = 50mA,IB = 5mA。 低噪声:NF = 8dB (Max.)

特性:与BC817互补。 高集电极电流。 外延平面管芯结构。 高电流增益。 表面贴装器件

特性:外延平面管芯结构。 有互补NPN类型。 也有无铅版本

通用小信号放大器(50V,150mA)

采用塑料SOT23封装的PNP晶体管。互补的NPN晶体管为BCX70系列。

特性:湿度敏感度等级:1-ESD 等级。 人体模型:>4000V。 机器模型:>400V。 S 和 NSV 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,且符合 RoHS 标准

特性:高击穿电压。 低集电极-发射极饱和电压。 与MMBTA92(PNP)互补

采用SOT23塑料封装的NPN晶体管。互补PNP型:BCX71系列。

遥控器专用芯片R25

PNP 电流:3A 耐压:30V (hFE):400@1A,2V

晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):30V 集电极电流(Ic):3A 功率(Pd):500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1A,2V GR档(200-400) NPN

采用小型SOT23(TO - 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN低VCEsat晶体管。PNP互补型号:PBSS5350T

特性:外延平面芯片结构。 低饱和电压:VCE(sat) < 300mV @ 150mA。 互补PNP型。 适用于低功率放大和开关。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,环保器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用,该产品符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,并在通过IATF 16949认证的工厂生产

特性:高电压。 功率耗散为500mW。 高稳定性和高可靠性。 符合MSL 1级,根据J-STD-020标准,LF最大峰值为260°C

NPN/NPN通用晶体管,采用无铅超小型DFN1010B-6 (SOT1216)表面贴装器件(SMD)塑料封装。PNP/PNP互补型号:BC857QAS。PPN/PNP互补型号:BC847QAPN。

NPN中功率晶体管,采用中功率SOT223 (SC-73)表面贴装器件(SMD)塑料封装。

采用功率DPAK、TO - 252(SOT428C)表面贴装器件(SMD)塑料封装的PNP大功率双极晶体管。NPN互补型号:MJD44H11