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特性:BVCEO > -60V。 IC = -4.3A,高连续电流。 RSAT = 32mΩ,低等效导通电阻。 低饱和电压 VREF(sat) < -65mV @ IC = -1A。 hFE 规定至 -10A,高电流增益保持。 互补 NPN 类型。应用:应急照明电路。 电机驱动(包括直流风扇)

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PNP硅外延平面晶体管

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晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):300mW

放大倍数300-400 100MA电流

该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

NPN 电流:500mA 耐压:25V (hFE):400@50mA,1V

hFE:200-400,丝印:L6

特性:与SS8550互补

特性:与SS8550互补

特性:紧凑型封装,高电流容量:IC = 1.5A。 外延平面型。 有无铅封装。 S前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力

特性:产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且可提供生产件批准程序文件。 低集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)) ≤ 0.4V。 简化电路设计。 减少电路板空间。 减少元件数量。 采用8mm、7英寸/3000单位的卷带包装。 直流电流增益(hFE)为100-300

特性:湿度敏感度等级:1-ESD 等级。 人体模型:>4000V。 机器模型:>400V。 S 和 NSV 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,且符合 RoHS 标准

这些晶体管专为通用放大器应用而设计。它们采用SOT-416/SC-75封装,该封装专为低功率表面贴装应用而设计。

丝印2D

采用SOT883无引脚超小型塑料封装的PNP通用晶体管。互补NPN型:BC847M系列。

特性:与2SB1260互补。 功率耗散:500mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值260°C

该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

此双 NPN PNP 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-363/SC-88 封装,适用于低功率表面贴装应用。