特性:功率耗散
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采用小型SOT223(SC - 73)表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN中功率晶体管系列。
公开页面暂无产品说明。
特性:适用于功率开关应用
采用SOT89塑料封装的NPN低VCEsat晶体管。PNP互补型号:PBSS5350X。
PNP低饱和电压(VCEsat)晶体管,采用SOT89塑料封装。
NPN中功率晶体管采用SOT89 (SC-62)扁平引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装。
适用于各类中高耐压、低电流应用场景,是您电子项目的优质三极管之选。
晶体管类型:NPN。 集电极电流ICM:0.5A 集电极-基极击穿电压BVCBO:40V 集电极-发射极击穿电压BVCEO:25V 直流电流增益HFE:200-350 丝印:J3Y
该SOT-23封装的NPN型三极管,具备25V的VCEO耐压和0.5A的集电极电流,放大倍数在120至400之间,适合于低功耗、高增益应用场合,适用于各类精密电子设备及电路设计,是您微型化项目中的理想半导体元件。
这款三极管为PNP型,适用于精密信号放大。其电流为0.1A,电压高达65V,放大倍数介于200至450之间,频率响应可达100MHz。该元器件在无线通信、音频处理等领域表现出色,是实现复杂电子系统的理想选择。
放大倍数200-300 500MA电流
NPN 电流:150mA 耐压:50V (hFE):400@2mA,6V
该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
特性:与MMBT3906互补
特性:功率耗散:200mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260°C
特性:与MMBT3904互补-表面贴装器件
放大倍数200-300 500MA电流
特性:与MMBT5401互补。 适用于中功率放大和开关
耐压:40V 电流:200mA NPN (hFE):300@50mA,1V
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