低压NPN功率晶体管
ST(意法半导体)DPAK
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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PNP低VCEsat 小信号突破性(BISS)晶体管,采用中功率扁平引脚SOT89(SC-62)表面贴装器件(SMD)塑料封装。NPN互补型号为PBSS4041NX。
Nexperia(安世)SOT-89
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SOT-23 塑封封装 PNP 半导体三极管。
BLUE ROCKET(蓝箭)SOT-23
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专为中等电压、微电流环境下的精密放大应用设计,是小型电子设备和高增益电路的理想半导体元件。
JSMSEMI(杰盛微)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
TDSEMIC(拓电半导体)SOT-23
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SOT-23 塑封封装 NPN 半导体三极管。
BLUE ROCKET(蓝箭)SOT-23
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特性:高电压:Vceo = 50V
YONGYUTAI(永裕泰)SOT-23
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晶体管类型:NPN型 集电极电流(Ic):800mA 集射极击穿电压(Vceo):25V 功率(Pd):300mW
ALJ(龙晶微)SOT-23
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FOSAN(富捷/富信)SOT-23
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放大倍数200-350 500MA电流
TDSEMIC(拓电半导体)SOT-23
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SOT-23 塑封封装 PNP 半导体三极管。
BLUE ROCKET(蓝箭)SOT-23
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放大倍数200-300 1.5A电流
FOSAN(富捷/富信)SOT-23
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TECH PUBLIC(台舟)SOT-23
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hFE:200-450,丝印:1B
R+O(宏嘉诚)SOT-23
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该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23-3 封装,适用于低功率表面贴装应用。
TDSEMIC(拓电半导体)SOT-23
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NPN 电流:100mA 电压:45V
ST(先科)TO-236
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集电极电流(Ic): PNP 集射极击穿电压(Vceo): 300V 功率(Pd): 300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): Vce=-10V,Ic=-10mA,hFE 100~200
ALJ(龙晶微)SOT-23
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丝印BA
CJ(江苏长电/长晶)SOT-23
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特性:开关晶体管
CJ(江苏长电/长晶)SOT-23
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丝印:J3Y
CJ(江苏长电/长晶)SOT-23
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