特性:AEC-Q101合格。 高发射极-基极电压:VEBO = 25 V。 高反向hFE。 反向hFE = 150(典型值)(VCE = -2V, IC = -4mA)。 低导通电阻:RON = 1 Ω(典型值)(IB = 5mA)。 高直流电流增益:hFE = 200至1200。应用:静音和开关应用
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NPN/PNP通用晶体管对,采用非常小的SOT363 (SC-88)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
三极管应用于放大电路、开关电路以及振荡电路等领域
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特性:分别与BD234/236/238互补
该 PNP 双极晶体管适用于通用放大器和开关应用。此器件安装在 SOT-223 封装中,适用于中等功率表面贴装应用。
特性:低集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))。 高过渡频率
特性:高过渡频率
NPN 开关晶体管采用 SOT23 塑料封装。PNP 互补型号为 BSR15 和 BSR16。
适用于大功率开关电路与中等放大需求,是工业控制、电源转换等领域不可或缺的半导体元件。
应用于大功率、高电流开关及放大电路而设计,是电子工程师的理想选择。
采用功率DPAK、TO - 252(SOT428C)表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN型高功率双极晶体管。互补PNP型:MJD32CA
MJE170/180 系列适用于低功率音频放大器和低电流高速开关应用。MJE170、MJE171、MJE172 (PNP);MJE180、MJE181、MJE182 (NPN) 为互补器件。
采用SOT23小型表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN高压、低VCEsat晶体管。互补PNP型晶体管:PBHV9050T
特性:BVCEO > -20V。IC = -1.5A 连续集电极电流。ICM = -6A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < -200mV @ -1A。RCE(SAT) = 97mΩ 低等效导通电阻。625mW 功率耗散。应用:栅极驱动 MOSFET 和 IGBT。DC-DC 转换器
特性:适用于中功率线性开关应用。 与TIP41/41A/41B/41C互补
NPN低VCEsat 小信号突破(BISS)晶体管,采用SOT223(SC-73)小型表面贴装器件(SMD)塑料封装。PNP互补型号:PBSS306PZ。
NPN400V7A大功率晶体管,常用于加湿器等
采用小型SOT143B表面贴装器件(SMD)塑料封装的PNP通用双晶体管。
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把参数交给工程师。
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