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特性:BVCEO > -60V。高连续集电极电流:IC = -4A。峰值脉冲电流:ICM = -10A。低饱和电压:最大 40mV @ IC = -1A。低等效导通电阻:IC = 1A 时,RCE(SAT) = 45mΩ。功率耗散:1.2W。应用:驱动 MOSFET 和 IGBT 的栅极。电机驱动

特性:BVCEO > 50V。 BVCEV > 80V 正向阻断电压。 IC = 5A 高连续集电极电流。 ICM = 12A 峰值集电极电流。 低饱和电压,VCE(SAT) < 40mV @1A。 RCE(SAT) = 24mΩ 低等效导通电阻。应用:MOSFET 和 IGBT 栅极驱动。 电机驱动

特性:BVCEO >-100V。 BVECO >-7V。 连续集电极电流 IC =-2A。 在-1A 时,VCE(SAT) <-130mV。 典型 RCE(SAT) = 108mΩ。 PD = 1.25W。应用:MOSFET 和 IGBT 栅极驱动。 DC-DC 转换器

该双极功率晶体管适合用作音频放大器中的高频驱动器。

特性:- BVCEO >-40V。 BVECO >-3V。 连续集电极电流 IC =-3A。 在-1A 时,VCE(sat) <-85mV。 典型 RCE(sat) = 55mΩ。 功率耗散 PD = 1.25W。应用:- MOSFET 和 IGBT 栅极驱动。 DC-DC 转换器

NPN低VCEsat晶体管,采用超薄DFN2020D - 3(SOT1061D)无引脚小尺寸表面贴装器件(SMD)塑料封装,具备中等功率能力,侧面焊盘可见且可焊接。

该双极功率晶体管卓越的增益线性和安全运行区域性能使其适用于高保真音频放大器输出级和其他线性应用。

特性:NPN晶体管:BVCEO > 60V,IC = 1A连续集电极电流。低饱和电压(最大500mV @ 1A)。hFE特性可达2A。RSAT = 210mΩ @ 1A,低等效导通电阻。PNP晶体管:BVCEO > -60V,IC = -1A连续集电极电流。低饱和电压(最大-600mV @ -1A)。应用:MOSFET栅极驱动器。低功率电机驱动器

互补功率晶体管

特性:BVCEO > 45V, 60V & 80V。 IC = 1A 连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。 低饱和电压 VCE(sat) < 500mV @ 0.5A。 增益组 10 和 16。 外延平面芯片结构。应用:中功率开关或放大应用。 音频驱动和输出级

MJ15022和MJ15024是功率晶体管,专为高功率音频、磁盘磁头定位器及其他线性应用而设计。

FMMT415/417 是 NPN 硅平面双极晶体管,专为雪崩模式下的操作而设计。严格的工艺控制和低电感封装相结合,可产生具有快速沿的大电流脉冲。

该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23封装,适用于低功率表面贴装应用。

晶体管类型: PNP 集电极电流(Ic): 100mA 集射极击穿电压(Vceo): 45V 功率: 200mW

NPN三极管,Vcbo=60V,Vceo=40V,IC 0.2A,Hfe 100~300

特性:NPN硅外延平面晶体管,适用于开关和放大应用。作为互补类型,推荐使用PNP晶体管2N3906。该晶体管也有SOT-23封装,型号为MMBT3904

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

特性:与S9015互补

该SOT-23封装PNP型三极管,拥有40V高耐压VCEO和0.2A集电极电流,放大倍数在100至300之间可调,适用于中等电压、微电流环境下的精密放大与开关电路设计,是您电子设备项目的理想半导体组件。