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特性:高速开关。 低饱和电压(典型值:在集电极电流 Ic = -2A、基极电流 Ib = -0.2A 时为 -200mV)。 对感性负载和容性负载具有强大的放电能力。 与 2SC5824 互补。应用:低频放大器。 高速开关

特性:超小表面贴装封装。 非常适合自动插入。 用于开关和音频放大器应用。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准,具有高可靠性。 具备生产件批准程序 (PPAP) 能力

NPN通用晶体管,采用小型SOT23 (TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装。

此器件用于需要最高 500 mA 集极电流的中等功率放大器和开关。源自 Process 19。参见 BCW65C 了解特性。

适用于音频频率低噪声放大器应用。

NPN BISS晶体管采用SOT23塑料封装,提供超低的VcEsat和RcEsat参数。PNP互补型号为PBSS5120T。

采用小型SOT143B表面贴装器件(SMD)塑料封装的PNP通用双晶体管。

2SD1623 是一款双极晶体管,50V 2A,低饱和压,(PNP)NPN 单 PCP,用于高电流开关应用。

这些器件适用于低功率音频放大器和低电流、高速开关应用。

公开页面暂无产品说明。

特性:BVCEO > 40V。IC = 4A 连续集电极电流。低饱和电压 VCE(sat) < 55mV @ 1A。RCE(sat) = 35mΩ。hFE 特性高达 10A。高 hFE 最小值 300 @ 1A。应用:MOSFET 栅极驱动器。电源开关

该 NPN 双极功率晶体管用于高电压通用型应用。

采用中功率SOT223(SC - 73)表面贴装器件(SMD)塑料封装的PNP低VCEsat晶体管。互补NPN型:PBSS4350Z

此低压NPN晶体管专为需要高增益和极低饱和电压的应用而设计。SOT23F封装与行业标准SOT23封装引脚兼容,但在功率密度至关重要的应用中,它提供了更低的外形和更高的散热性能。

设计用于线路操作音频输出放大器、开关电源驱动器和其他开关应用。

特性:100V VCEO。 2A 连续电流。 低饱和电压。 总功率 Ptot = 1W

设计用于通用电源和开关,如开关稳压器、转换器和功率放大器等应用中的输出或驱动级。

特性:BVCEO > 40V。 集电极电流高:IC = 200mA。 功率耗散:PD = 1000mW。 封装占地面积:0.60mm2,比SOT23小13倍。 封装高度:0.5mm,可减少板外轮廓。 互补PNP类型:MMBT3906LP。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 该产品符合JEDEC标准,具有高可靠性

NPN 低 VCEsat 小信号击穿 (BISS) 晶体管,采用 SOT223 (SC-73) 中功率表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。PNP 互补产品:PBSS4041PZ。

该双极功率晶体管适用于通用电源和切换输出,或开关稳压器、转换器和功率放大器应用中的驱动器级。