采用SOT89塑料封装的NPN高压晶体管。互补的PNP晶体管为BF621和BF623。
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特性:高集电极电压:VCEO = 230V (min)。 与TTA1943互补。 推荐用于100W高保真音频放大器输出级
专为大功率音频、磁盘头定位器及其他线性应用而设计。
该双极功率晶体管卓越的增益线性和安全运行区域性能使其适用于高保真音频放大器输出级和其他线性应用。
晶体管类型: NPN 集电极电流(Ic): 100mA 集射极击穿电压(Vceo): 45V 功率: 200mW
晶体管类型: PNP 集电极电流(Ic): 100mA 集射极击穿电压(Vceo): 45V 功率: 200mW 产品描述:丝印M6
Type(NPN)/VCBO60(V)/VCEO40(V)/VEBO 6(V)/IC0.2(A)/hFE30~300/fT300(MHz)
特性:高电流增益带宽积。 功耗 (Pc = 200mW)。应用:NPN外延硅晶体管
特性:与MMBT5551互补
特性:与MMBT5401互补。 适用于中功率放大和开关
该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
特性:与S9014互补。 出色的hFE线性度。 表面贴装器件
用于开关和放大应用的NPN硅通用晶体管。
SOT-23 塑封封装 PNP 半导体三极管。
这款NPN三极管具有0.1A的电流和45V的电压处理能力,放大倍数介于110-220之间,适用于高速操作,频率可达100MHz。它为电子设备提供了可靠的性能,适合多种应用需求,确保电路的稳定性和高效性。
这款NPN型三极管具有0.15A的电流和50V的电压处理能力,放大倍数介于200至400之间,适用于高速切换和信号放大场景。其80MHz的频率响应确保了良好的信号处理速度。该元器件适合多种电子设备,确保稳定性能。
特性:与S8550互补,集电极电流:Ic = 0.5A。标记:J3Y
PNP双极晶体管
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