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特性:小型、薄型表面贴装封装。 扁平引脚封装设计,适用于薄型和高功率耗散。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,具有高可靠性。 具备生产件批准程序(PPAP)能力

IZT(mA)12.5

特性:完整电压范围 3.3 至 200 伏。 高反向峰值功率耗散。 高可靠性。 低漏电流

此类齐纳二极管稳压器采用 SOD-523 表面贴装封装。此类稳压器可提供电压调节保护,特别适用于空间宝贵的情况。此类器件非常适用于蜂窝电话、手持便携设备和高密度 PC 主板等应用。

特性:高可靠性。 电压范围10 V至270 V。 适配5 mm贴片式封装焊盘。 可采用波峰焊和回流焊。 玻璃钝化结

特性:硅平面齐纳二极管。低轮廓表面贴装封装。齐纳和浪涌电流规格。低漏电流。出色的稳定性。保证高温焊接:265°C/10秒,在引脚处

3V 1W

特性:高可靠性。 电压范围3.3 V至270 V。 适配5 mm贴片式封装焊盘。 玻璃钝化结,可进行波峰焊和回流焊

通用齐纳二极管,采用SOD523 (SC-79)超小型扁平引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装。

特性:总功率耗散:最大5W。 宽齐纳反向电压范围3.3V至200V。 塑料封装,适用于表面贴装设计。 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品

特性:完整电压范围:3.3至240伏。 高反向峰值功率耗散。 高可靠性。 低漏电流。 无铅/符合RoHS标准

特性:完整的电压范围:3.3至240伏。 高反向峰值功率耗散。 高可靠性。 低泄漏电流

特性:完整电压范围 3.3 至 200 伏。 高反向峰值功率耗散。 高可靠性。 低漏电流

特性:完整电压范围 3.3 至 200 伏。 高反向峰值功率耗散。 高可靠性。 低漏电流

特性:完整电压范围:3.3至200伏。 高反向峰值功率耗散。 高可靠性。 低泄漏电流

特性:标准齐纳击穿电压范围:-3.3V 至 68V。 人体模型静电放电等级 3 级(>16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低轮廓封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装

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14.1V 0.5W

特性:1.0W 功率耗散。 非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。 标准 VZ 公差为 ±5%。 无铅涂层;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件

特性:齐纳电压范围:3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3(>16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力(SZ1SMB59xxT3G)。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装