该款SOT-23封装NPN型三极管,具有45V高击穿电压VCEO及0.1A集电极电流承载力,放大倍数范围宽广(200-400),特别适用于要求高增益、低功耗的电子电路中,提供精密信号放大功能。
HXY MOSFET(华轩阳电子)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:高集电极电流。 与SS8050互补
TDSEMIC(拓电半导体)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:简化电路设计。 符合RoHS标准。 环保电磁兼容性
YONGYUTAI(永裕泰)SOT-523
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃等级。 湿度敏感度等级为1级
TECH PUBLIC(台舟)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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耐压:40V 电流:200mA NPN (hFE):300@10mA,1V
GOODWORK(固得沃克)SOT-323
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特性:与SS8550互补
晶导微电子SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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适合于低功耗、高增益应用场合,适用于各类精密电子设备及电路设计,是您微型化项目中的理想半导体元件。
JSMSEMI(杰盛微)TO-92
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:高集电极电流。 与SS8050互补
UMW(友台半导体)SOT-23
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丝印3EM
ALJ(龙晶微)SOT-23
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晶体管类型:NPN型 集电极电流(Ic):300mA 集射极击穿电压(Vceo):300V 功率(Pd):350mW
ALJ(龙晶微)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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这款NPN型三极管具有0.5A的电流和45V的电压处理能力,放大倍数介于160至400之间,适用于高速操作,频率可达100MHz。它为电子设备提供了可靠的性能支持,适合多种应用场合,确保信号放大和电子系统的稳定性。
HXY MOSFET(华轩阳电子)SOT-23
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R+O(宏嘉诚)SOT-23
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R+O(宏嘉诚)SOT-323
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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R+O(宏嘉诚)SOT-323
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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R+O(宏嘉诚)SOT-323
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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晶体管类型: PNP 集电极电流(Ic): 1A 集射极击穿电压(Vceo): 32V 功率: 500mW
ALJ(龙晶微)SOT-89
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丝印5B
CJ(江苏长电/长晶)SOT-23
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R+O(宏嘉诚)SOT-323
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此高压 PNP 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
onsemi(安森美)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:湿度敏感度等级:1。 ESD 评级-人体模型:> 4000V。 ESD 评级-机器模型:> 400V。 产品材料符合 RoHS 要求且无卤。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 AEC-Q101 认证且具备 PPAP 能力
LRC(乐山无线电)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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