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适用于集电极电流从2 mA到30 mA的低噪声、高增益宽带放大器

PNP中功率晶体管,采用SOT223塑料封装。NPN互补型号为BSP41和BSP43。

特性:BVCEO > 400V。 高连续电流:IC = 500mA。 峰值脉冲电流:ICM = 1A。 低饱和电压:VCE(sat) < 250mV @ 50mA。 高电流增益保持:hFE > 40(指定至200mA)。 互补PNP类型:FZT758。 无铅涂层;符合RoHS标准。 无卤素和锑。“绿色”器件

特性:BVCEO >-60V。 IC =-5A 高连续集电极电流。 ICM =-15A 峰值脉冲电流。 低饱和电压 VCE(SAT) <-140 mV @-1 A。 RCE(SAT) = 55 mΩ 低等效导通电阻。 hFE 规定至-10A 以实现高增益保持。 互补 NPN 类型:FZT851。 无铅表面处理;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑。“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准,可靠性高。 具备生产件批准程序 (PPAP) 能力

该双极功率晶体管适合用作音频放大器中的高频驱动器。

TTA1943适用于功率放大器应用。高集电极电压:VCEO = -230 V (rΩ min),与TTC5200互补,推荐用于100 W高保真音频放大器输出级。

采用SOT223(SC - 73)中功率表面贴装器件(SMD)塑料封装的PNP高压低VCEsat晶体管。互补NPN型:PBHV8540Z

高速、高击穿电压

MJL3281A 和 MJL1302A 功率晶体管适用于大功率音频、磁盘头定位器和其他线性应用。

晶体管类型: NPN 集电极电流(Ic): 100mA 集射极击穿电压(Vceo): 45V 功率: 200mW

特性:互补类型,采用推荐的外延平面管芯结构。标记:2A

该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

特性:与MMBT3904互补。 功率耗散为200mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260°C

晶体管类型: NPN 集电极电流(Ic): 100mA 集射极击穿电压(Vceo): 45V 功率: 200mW

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特性:高集电极电流。 与SS8050互补

集电极电流(IC):500mA 集射极击穿电压(VCEO):25V 耗散功率(pd):300mW 直流电流增益(hfE): 50@1V,500mA 特征频率(fT):150HZ 集电极截止电流(Icbo) :100nA 集射极饱和电压(VCE(sat)):600mV @500mA,50mA 射基极击穿电压(Vebo):5V 工作温度:-55°C~+155°C@(Tj)

特性:作为互补类型,推荐使用NPN晶体管MMBT3904。 外延平面管芯结构

晶体管类型: PNP 集电极电流(Ic): 600mA 功率(Pd): 250mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):Vce=-10V, Ic=-150mA,hfe 100~300

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。