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采用超小型SOT323(SC70)表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN通用晶体管。

特性:用于音频驱动和输出级。高集电极电流。低集电极-发射极饱和电压。互补类型:BCP51 ... BCP53 (PNP)

特性:低速度开关

特性:BVCEO > -32V。 IC = -2A,高连续电流。 低饱和电压 VCE(sat) < -800mV @ -2A。 互补 NPN 型。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,环保器件

特性:两个2SA1037AK芯片封装在EMT、UMT或SMT中。 可使用EMT3、UMT3或SMT3自动贴装机进行贴装。 晶体管元件相互独立,消除干扰。 可将安装成本和面积减半。应用:通用小信号放大器

NPN 开关晶体管,采用超小型 DFN1010D-3 (SOT1215) 无引脚表面贴装器件 (SMD) 塑料封装,侧面焊盘可见且可焊接。PNP 互补型号:PMBT2907AQA

特性:适用于开关和放大。 高电压:BC556,VCEO =-65V。 低噪声:BC559、BC560。 与BC546、BC547、BC548、BC549和BC550互补

特性:功率耗散

特性:低速开关

采用SOT23塑料封装的PNP型BISS(小信号突破)晶体管。NPN互补型号:PMMT491A。

特性:BVCEO >-40V。 IC =-1A 高连续电流。 ICM =-2A 峰值脉冲电流。 低饱和电压 VCE(sat) <-500mV @-1A。 RSAT = 350mΩ 低等效导通电阻。 互补 NPN 型:ZXTN2041F。应用:功率 MOSFET 栅极驱动。 低损耗功率开关

3D打印机 喷绘机专用三极管

此款 NPN 双极晶体管是我们受欢迎的 SOT-23/SOT-323 三引线器件的副产品。该器件适用于通用放大器应用,采用 SOT-563 六引线表面贴装封装。通过将两个分立器件放入一个封装中,该器件适用于板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。

该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

适用于通用放大器应用,具有高电压和高电流特性,VCEO = 50V,IC = 150mA(最大值),hFE线性良好,hFE(IC = 0.1mA) / hFE(IC = 2mA) = 0.95(典型值),hFE为120至400,与2SA2154MFV互补。

PNP通用晶体管,采用小型SOT23(TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装。

本芯片采用硅外延工艺制造,具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性,较大的动态范围,理想的电流线性;主要应用于超高频微波、VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声放大器中,如卫星电视调谐器、CATV放大器、模拟数字无绳电话、射频模块和光纤模块中的高频放大器等产品。

特性:BVCEO >-40V。 IC =-200mA 集电极电流。 外延平面芯片结构。 超小表面贴装封装。 互补 NPN 型。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑-“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准

特性:BVCEO > -60V。 高连续集电极电流:Ic = -1A。 峰值脉冲电流:ICM = -2A。 低等效导通电阻:R(sat) = 295mΩ。 高达 -2A 时具有高电流增益保持能力:hFE 特性。 互补 NPN 类型:FMMT491。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件

本芯片采用硅外延工艺制造,具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性,较大的动态范围,理想的电流线性;主要应用于超高频微波、高频宽带低噪声放大器中,适合中功率高频信号放大。