特性:外延平面芯片结构。 有互补PNP类型。 适用于低功率放大和开关。 本质匹配的NPN对。 HFE、VCE(SAT)、VBE(SAT)匹配公差为2%。 无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件
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此款MJD42C,采用表面贴装TO-252(DPAK)可用于各种需要大电流开关或放大的场合,例如电机驱动、电源管理、音频放大、继电器驱动、LED灯串驱动等
特性:低饱和电压:VCE(saq) = 0.5V 最大 (I = 1.5A)。 高速开关时间:tSTG = 0.5 μs(典型值)。 小型扁平封装。 PC = 1.0 至 2.0W(安装在陶瓷基板上)。 与 2SA1736 互补。应用:功率放大器应用。 功率开关应用
高电压、高速、平面钝化 NPN 功率开关晶体管,采用 SOT54 (TO-92) 塑料封装。
采用SOT666超小型表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN/PNP晶体管。
NPN低VCEsat小信号(BISS)晶体管,采用中功率SOT89(SC-62)扁平引脚表面贴装器件(SMD)塑封封装。
特性:低饱和电压:在IC/IB = 500 mA/50 mA时,典型值VCE(sat) = 150 mV。互补PNP类型:2SB1260。应用:低频输出放大器
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这款双极结型晶体管(BJT)旨在满足汽车应用的严格要求。
NPN 外延硅晶体管
NPN 中等功率晶体管
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采用SOT23塑料封装的PNP晶体管。与之互补的NPN晶体管型号为:BF820、BF822。
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射频三极管 NPN
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特性:集电极-发射极电压(VCEO):100V。 连续电流:2A。 低饱和电压。 总功率(Ptot):1W
NPN 外延硅晶体管
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特性:高 DC 电流增益:hFE = 200 至 500 (IC =-0.5A)。 低集电极-发射极饱和电压:VCE(sat) =-0.27V (max)。 高速开关:tf = 55 ns (typ.)。 重量:0.36 g (typ.)。应用:高速开关应用。 DC-DC 转换器应用
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我们可以协助查找停产料替代方案,也可以按功能参数反向选型。