通用齐纳二极管,采用非常小的SOD323 (SC-76)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
Nexperia(安世)SOD-323
二极管 / 晶体管稳压二极管
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Nexperia(安世)SOD-323
二极管 / 晶体管稳压二极管
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稳压值(标称值) 3.3V;反向电流(Ir) 100uA@1.0V;功率(Pd) 3W;阻抗(Zzt) 10Ω
LGE(鲁光)SMB(DO-214AA)
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特性:标准齐纳击穿电压范围:-3.3V至68V。 人体模型静电放电等级3级(>16kV)。 平坦的操作表面,便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是MELF封装的理想替代品。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
onsemi(安森美)SMA
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特性:标准齐纳击穿电压范围:3.3V 至 68V。 人体模型 3 级 ESD 等级(> 16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
onsemi(安森美)SMA
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特性:标准齐纳击穿电压范围:-3.3V至68V。 人体模型静电放电等级3级(>16kV)。 平坦的操作表面,便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是MELF封装的理想替代品。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
onsemi(安森美)SMA
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特性:标准齐纳击穿电压范围:3.3V 至 68V。 人体模型 3 级 ESD 等级(> 16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
onsemi(安森美)SMA
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特性:标准齐纳击穿电压范围:-3.3V至68V。 人体模型静电放电等级3级(>16kV)。 平坦的操作表面,便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是MELF封装的理想替代品。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
onsemi(安森美)SMA
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特性:齐纳电压范围:3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3(>16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
onsemi(安森美)SMB
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特性:用于表面贴装的薄型封装(平整的操作表面,便于精确贴装)。 齐纳电压 5.1V 至 200V。 可提供卷带包装(参见 E1A 标准 RS-481)。 湿度敏感度等级 1。 环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级。 无铅涂层/符合 RoHS 标准
MSKSEMI(美森科)SMB
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特性:标准齐纳击穿电压范围:3.3V 至 68V。 人体模型 3 级 ESD 等级(> 16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
onsemi(安森美)SMA
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商品目录 稳压二极管;稳压值(标称值) 3.3V;反向电流(Ir) 300uA;耗散功率(Pd) 5W;阻抗(Zzt) 3Ω;阻抗(Zzk) 400Ω;工作结温范围 -55°C~+150°C
LGE(鲁光)SMB
二极管 / 晶体管稳压二极管
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特性:完整的电压范围:3.3至240伏。 高反向峰值功率耗散。 高可靠性。 低泄漏电流
LGE(鲁光)SMB(DO-214AA)
二极管 / 晶体管稳压二极管
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此款稳压二极管,采用SMB封装和采用高质量的材料和制造工艺,具有较低的漏电流和较高的稳定性,能够长时间稳定工作,适用于各种需要稳定电压的电子电路如:电源、传感器通信设备、计算机主板、汽车电子等领域
MSKSEMI(美森科)SMB
二极管 / 晶体管稳压二极管
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特性:完整电压范围:3.3至200伏。 高反向峰值功率耗散。 高可靠性。 低泄漏电流
LGE(鲁光)SMB
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塑封稳压管
LGE(鲁光)DO-15
二极管 / 晶体管稳压二极管
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特性:标准齐纳击穿电压范围:-3.3V至68V。 人体模型静电放电等级3级(>16kV)。 平坦的操作表面,便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是MELF封装的理想替代品。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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特性:齐纳电压范围:3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3(>16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力(SZ1SMB59xxT3G)。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
onsemi(安森美)SMB
二极管 / 晶体管稳压二极管
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特性:完整电压范围 3.3 至 240 伏。 高反向峰值功率耗散。 高可靠性。 低漏电流。 人体模型 3 类 ESD 等级(> 16 kV)
LGE(鲁光)DO-214AC(SMA)
二极管 / 晶体管稳压二极管
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特性:完整的电压范围:3.3至240伏。 高反向峰值功率耗散。 高可靠性。 低泄漏电流
LGE(鲁光)SMB
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