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二极管 / 晶体管型号

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特性:出色的hPE线性度:hPE(q) = 25(最小值)(VCE = 6V,IC = 400 mA)。 高电压:VCEO = 50V(最小值)。 与2SA1313互补。 小封装。应用:音频低功率放大器。 驱动级放大器

TOSHIBA(东芝)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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公开页面暂无产品说明。

Nexperia(安世)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:高电流晶体管

CJ(江苏长电/长晶)TO-92
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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采用超小型SOT323(SC - 70)表面贴装器件(SMD)塑料封装的PNP通用晶体管。

Nexperia(安世)SOT-323
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:功率耗散

LGE(鲁光)TO-92
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):80V 集电极电流(Ic):1A 功率(Pd):1W 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):25@5mA,2V

TWGMC(迪嘉)SOT-89
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:NPN与BCX54、BCX55、BCX56互补。 低电压。 高电流。应用:中功率通用。 音频放大器驱动级

CJ(江苏长电/长晶)SOT-89-3L
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:适用于高压应用中的开关和放大,如电话应用。 低电流(最大500mA)。 高电压(最大160V)

CJ(江苏长电/长晶)SOT-89-3L
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:功率耗散

LGE(鲁光)TO-92
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:NSV前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。AEC-Q101认证且具备生产件批准程序(PPAP)能力。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR)且符合RoHS标准

onsemi(安森美)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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这些晶体管专为通用放大器应用而设计。它们采用SOT-363/SC-88封装,该封装专为低功率表面贴装应用而设计。

onsemi(安森美)SOT-363
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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适用于音频通用放大应用。

TOSHIBA(东芝)TO-236-MOD
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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适用于音频频率低功率放大器应用、驱动级放大器应用和开关应用,具有出色的hFE线性度。

TOSHIBA(东芝)SOT-323(SC-70)
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:低集电极-发射极饱和电压。 高击穿电压

CJ(江苏长电/长晶)SOT-89-3L
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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采用小型SOT23(TO - 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装的PNP通用晶体管。

Nexperia(安世)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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PNP外延硅晶体管

onsemi(安森美)TO-92-3L
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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三极管应用于放大电路、开关电路以及振荡电路等领域

GOODWORK(固得沃克)SOT-89
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:高电流。 高功率耗散能力。 产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 通过AEC-Q101认证且具备生产件批准程序(PPAP)能力。应用:线性稳压器。 低端开关

LRC(乐山无线电)SOT-89
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

onsemi(安森美)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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Nexperia(安世)DFN-3(1x1.1)
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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