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二极管 / 晶体管型号

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DIODES(美台)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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Polarity:NPN、VCEO/V:400、I/A:4、NPN三极管、TO-252、最小包装量:2500PCS

YFW(佑风微)TO-252
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:产品材料符合 RoHS 要求且无卤素。S 前缀适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用。通过 AEC-Q101 认证且具备 PPAP 能力

LRC(乐山无线电)SOT-223
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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Nexperia(安世)SOT-89
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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Infineon(英飞凌)SOT-343
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:BVCEO > -100V。 连续集电极电流 IC = -3A。 峰值脉冲电流 ICM = -8A。 集电极发射极饱和电阻 RCE(SAT) = 110mΩ(典型值)。 额定温度可达 +175°C,适用于高环境温度环境。 有互补部件 DXTN3C100PS。应用:电源管理。 负载开关

DIODES(美台)PowerDI-8(5x6)
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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互补功率晶体管

ST(意法半导体)SOT-32-3
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):5A 集射极击穿电压(Vceo):60V 耗散功率(Pd):2.5W 直流电流增益(hFE):120@4A,2V

JSMSEMI(杰盛微)SOT-89
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:与KTB817互补。 推荐用于60W音频放大器输出级

KECTO-3P(N)
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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PNP中功率晶体管系列,采用表面贴装器件(SMD)塑料封装。

Nexperia(安世)SOT-89
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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该双极功率晶体管适用于低电压、低功率和高增益音频放大器应用。

onsemi(安森美)DPAK-3
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:BVCEO > -15V。BVCBO > -15V。IC = -3A 高连续电流。hFE > 300 @ -2A 和低饱和电压。极低的等效导通电阻 RCE(sat) 93mΩ @ -3A。互补 NPN 类型。应用:闪光灯转换器。电池供电电路

DIODES(美台)SOT-223
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:适用于功率驱动器。 低VCE(sat) VCE(sat)=300mV(最大值) (IC/IB = 2A/100mA)。应用:低频放大器

ROHM(罗姆)TO-252-2
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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采用功率DPAK、TO - 252(SOT428C)表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN型高功率双极晶体管。PNP互补型号:MJD45H11A

Nexperia(安世)DPAK
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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高压快速切换NPN功率晶体管

ST(意法半导体)SOT-223
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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PNP中功率晶体管系列,采用表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

Nexperia(安世)SOT-223
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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高压快速切换NPN功率晶体管

ST(意法半导体)TO-220
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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应用·设计用于通用功率放大器和开关应用

SPTECH(深圳质超)TO-3PN
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:BVCEO > -40V。 高连续集电极电流:IC = -3A。 峰值脉冲电流:ICM = -6A。 高增益器件:>200 @ -1A。 典型RCE(SAT) = 83mΩ。 低饱和电压。应用:DC-DC转换器。 MOSFET栅极驱动器

DIODES(美台)TO-252(DPAK)
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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该中等功率 NPN 塑料晶体管系列使用互补或准互补电路,适合用作音频放大器和驱动器。

onsemi(安森美)TO-225-3
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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