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K46(K46表示丝印)

该SOT-23封装NPN型三极管,具备80V高耐压VCEO及0.5A集电极电流规格,其放大倍数可在100至400之间调节,适用于高压、中等电流环境下的精密放大与开关应用,是电子设备电路设计的理想半导体元件。

特性:AEC-Q101合格。 高电压:VCEO = 50V。 高集电极电流:IC = 150mA(最大值)。 高hFE:hFE = 70至700。 出色的hFE线性度:hFE(IC = 0.1mA)/ hFE(IC = 2mA) = 0.95(典型值)。 低噪声:NF = 1dB(典型值),10dB(最大值)。应用:低频放大器。 音频通用放大器应用

特性:外延平面芯片结构。 有互补PNP类型(MMBT2907AM)

5551(5551表示丝印)

特性:湿度敏感度等级:1。ESD 评级-人体模型:>4000V。ESD 评级-机器模型:>400V。产品材料符合 RoHS 要求且无卤素。S 前缀适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用。AEC-Q101 合格且具备 PPAP 能力

PNP+PNP 电流:200mA 电压:150V

该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

特性:一个封装中有两个晶体管,减少元件数量和电路板空间。 晶体管之间无相互干扰

特性:高总功率耗散:(Pc = 0.45W)。 高hFE和良好的线性度。 与S9015互补

此 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-323/SC-70 封装,适用于低功率表面贴装应用。

此高电压 PNP 双极晶体管适用于通用开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

特性:高电压:VCEO = 120V。出色的hFE线性度:hFE (IC = 0.1mA) / hFE (IC = 2mA) = 0.95(典型值)。高hFE:hFE = 200至700。低噪声:NF = 1dB(典型值),10dB(最大值)。与2SA1163互补。小封装

公开页面暂无产品说明。

特性:非常适合自动插入。 适用于开关和音频放大器应用。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用,这些部件符合 AEC-Q101 标准,具备 PPAP 能力,并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产

耐压:180V 电流:600mA NPN (hFE):80@1mA,5V

本高频低噪声宽带射频晶体管适合工作在集电极电流 30~40mA、电压 3~5V;能适应于频率高达 3.8GHz 的振荡电路的信号放大;在 1.8GHz 时的噪声约为 1.1dB;低漏电流、小结电容特性,较大的动态范围,理想的电流线性;采用无铅(Pb-free、RoHS compliant)工艺的表面贴 SOT323 封装;主要使用于电视调谐器、卫星电视接收器、CATV 视频放大器、模拟数字无绳电话、雷达感应开关、无线遥控数传、无线通信、RFID 散射式射频识别系统、光纤放大器等产品中,用于 VHF/UHF 放大器、振荡器、混频器、检波器,以及高频微波信号发射与接收电路中的信号放大。

NPN开关晶体管采用超小型DFN1010D-3 (SOT1215)无铅表面贴装器件(SMD)塑料封装,侧面焊盘可见且可焊接。

这款双极结型晶体管(BJT)旨在满足汽车应用的严格要求。