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特性:理想适用于自动插入。 外延平面芯片结构。 有互补NPN类型(BC817)。 用于开关和音频放大器应用。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件

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这款NPN型三极管(BJT)具有0.6A的集电极电流IC和40V的集电极-发射极电压VCEO,适用于广泛的电子设备。其直流电流增益HFE范围在100至300之间,确保了信号放大时的稳定性和效率。特别值得一提的是,该三极管的过渡频率FT高达300MHz,使其成为高速开关和高频应用的理想选择。此款三极管适合于需要快速响应和高频率处理能力的电路设计中,如无线通信模块、音频处理设备等,能够满足对性能有较高要求的应用场景。

此款MJD127T4G,采用表面贴装TO-252(DPAK),由于其稳定的电流驱动能力,MJD127T4G适用于多种功率驱动场合,包括电机控制、电源开关、LED驱动、以及其他需要大电流开关和/或线性放大功能的电子设备。

此款MJD42CT4G,采用表面贴装TO-252(DPAK)可用于各种需要大电流开关或放大的场合,例如电机驱动、电源管理、音频放大、继电器驱动、LED灯串驱动等

特性:与2SA1837互补。 高集电极电压:VCEO = 230V(最小值)

特性:低饱和电压:VCE (sat) =-0.5V (最大值) (IC =-1.5A)。 高速开关时间:tSTG = 0.2 μs (典型值)。 小型扁平封装。 PC = 1.0 至 2.0 W (安装在陶瓷基板上)。 与2SC4541互补。应用:功率放大器应用。 功率开关应用

特性:BVCEO > -12V。 IC = -3A,高连续电流。 低饱和电压 VCE(sat) < -0.25V @ -1.5A。 互补 NPN 型。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。应用:中功率开关。 放大

低压快速切换NPN功率晶体管

NPN中功率晶体管,采用SOT89 (SC-62)扁平引脚表面贴装器件 (SMD)塑料封装

特性:BVCEO > 15V。 IC = 3A 高连续集电极电流。 ICM = 12A 峰值脉冲电流。 RCE(sat) = 50mΩ 低等效导通电阻。 625mW 功率耗散。 hFE 指定至 12A 以实现高电流增益保持。应用:DC-DC / DC-AC 模块。 稳压器

特性:BVCEO > 160V。Ic = 600mA 高集电极电流。互补 PNP 型。非常适合中功率开关或放大应用。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑,“绿色”器件

NPN 外延硅晶体管

采用SOT23塑料封装的NPN高压晶体管。互补的PNP晶体管型号为:BSR20和BSR20A。

PNP 中功率晶体管系列,采用表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

特性:高直流电流增益:hFE = 400 至 1000(IC = 0.3A)。 低集电极-发射极饱和电压:VCE (sat) = 0.14V(最大值)。 高速开关:tf = 120 ns(典型值)。应用:高速开关应用。 DC-DC 转换器应用

采用中功率SOT89(SC - 62)扁平引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN功率晶体管。

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