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NPN通用晶体管,采用小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

特性:外延平面芯片结构。 有互补PNP类型(MMDT5401)。 适用于中功率放大和开关

特性:高电压。 与BC546/BC547/BC548互补

特性:低饱和电压。VCE(sat) = 0.35V(最大值),IC / Ia =-1A /-50mA。 出色的直流电流增益特性。 与2SA1797和2SC4672互补

晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):1A 集射极击穿电压(Vceo):60V 耗散功率(Pd):400mW

采用SOT23塑料封装的NPN晶体管。互补PNP型:BCX71系列。

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

特性:两个2SA1037AK芯片封装在EMT、UMT或SMT封装中。 可使用EMT3、UMT3或SMT3自动贴装机进行贴装。 晶体管元件相互独立,消除干扰。 可将贴装成本和面积降低一半。应用:通用小信号放大器

三极管应用于放大电路、开关电路以及振荡电路等领域

采用塑料SOT23封装的PNP晶体管。互补的NPN晶体管为BCX70系列。

特性:高集电极-发射极电压,与MMBTA94互补

晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):1A 集射极击穿电压(Vceo):80V 耗散功率(Pd):500mW 直流电流增益(hFE):40@500mA,2.0V hFE:100-250

NPN 电流:1A 耐压:100V (hFE):250@150mA,2V

晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):80V 集电极电流(Ic):1A 功率(Pd):1.3W 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@500mA,2V

NPN外延硅晶体管

采用SOT23(TO - 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装的PNP高压晶体管。

晶体管类型:NPN。 集电极电流ICM:3A 集电极-基极击穿电压BVCBO:80V 集电极-发射极击穿电压BVCEO:80V 直流电流增益HFE:200-300

PNP外延硅晶体管

特性:集电极-发射极电压:40V。 集电极-基极电压:60V。 发射极-基极电压:6V。应用:通用放大。 开关应用

特性:两个2SD1484K芯片采用SMT封装。 可使用SMT3自动贴装机进行安装。 晶体管元件相互独立,无干扰。 高集电极电流:Ic = 500mA。 可将安装成本和面积减半