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商品目录 双向可控硅;断态峰值电压(VDRM/VRRM):800V;通态电流(IT(RMS)):16A;浪涌电流(ITSM):160A; 峰值通态压降(VTM):1.50V;门极触发电流(IGT3):<50mA

该双向可控硅模块额定通态电流(It)为16A,断态峰值电压(Vdrm)达600V,内部集成单个双向可控硅芯片,适用于中等功率交流开关与调节电路。其门极触发电流(Igt)为50mA,具备稳定的触发特性,可在交流电源周期内实现精确导通控制。器件具有良好的电压阻断能力和热稳定性,常用于交流调压装置、电热负载控制、照明调节系统及各类无触点开关电路中,适合对控制精度和运行可靠性有要求的电子设备应用。

8A DPAK和D2PAK封装Snubberless 三端双向可控硅

特性:NPNPN五层结构的硅双向器件。 P型对通扩散隔离。 台面玻璃纯化工艺。 背面多层金属电极。 工作结温高。 换向能力强。应用:加热控制器。 调速控制器

一款交流晶闸管功率开关,具备极高的抗噪能力和过压保护功能,采用负栅极触发配置,采用SOT96 - 1(SO8)小型表面贴装塑料封装。

高温20 A SCR

该双向可控硅模块具备20A的通态电流(It)和600V的断态峰值电压(Vdrm),内部集成单个双向可控硅芯片,适用于中高功率交流控制应用。其门极触发电流(Igt)为50mA,可实现对交流电周期的精确触发与导通控制。器件支持双向导通,适用于交流调压、照明系统调光、电热负载功率调节及小型交流电机速度控制等场景。具有良好的热稳定性和电压阻断能力,适合在对负载控制精度和运行可靠性要求较高的电路中使用,可集成于各类交流开关与调节模块中。

8 A Snubberless 三端双向可控硅

16 A Snubberless 三端双向可控硅

采用SOT78塑料封装的平面钝化高灵敏栅极四象限三端双向可控硅,适用于需要在所有四个象限都具备高灵敏度的通用双向开关和相位控制应用。这种高灵敏栅极“D系列”三端双向可控硅旨在直接与微控制器、逻辑集成电路和其他低功率栅极触发电路连接。

BTA/BTB12 B/C 双向晶闸管系列是高性能玻璃钝化 PNPN 器件。这些器件适用于需要高浪涌电流能力的通用应用,如对电感或电阻性负载进行相位控制和静态开关。

12A标准SCR

采用SOT78(TO - 220AB)塑料封装的平面钝化可控硅整流器(SCR),适用于需要极高双向阻断电压能力、高结温能力和高热循环性能的应用。

适用于相位控制应用(如加热和电机速度控制)的优质单向开关。标准相位控制可控硅(SCR)在电位低于1.5 V时,只需几毫安的电流即可触发。

12 A Snubberless 三端双向可控硅

8A标准SCR

三象限双向可控硅,VRRM/VDRM=1200V,IT(RMS)=41A,IGT=50/50/50mA

NPNPN 五层结构的硅双向器件,采用单面挖槽工艺和台面玻璃钝工艺,配备背面多层金属电极.这款器件具备出色的阻断电压和温度稳定性,可靠性高

特性:阻断电压达600伏。 80°C时的通态电流额定值为12A(有效值)。 坚固且经济实惠。 TO-220AB封装。 玻璃钝化结,确保可靠性和一致性。 规定了IGT、VGT和IH的最小值和最大值,便于设计。 高抗dv/dt能力:125°C时最小为100V/ms。 无铅表面处理;符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件

可控硅类型:三象限(3Q)双向可控硅 断态峰值电压(VDRM/VRRM):1000V 通态电流(IT(RMS)):40A 浪涌电流(ITSM): 400A 峰值通态压降(VTM): 1.55 门极触发电流(IGT3):<30mA 结温(TJ):-40°C~+125°C