高温20 A SCR
ST(意法半导体)D2PAK
二极管 / 晶体管晶闸管(可控硅) / 模块
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设计用于需要高抗噪性和高换向 di/dt 的高性能全波交流控制应用。
Littelfuse(美国力特)TO-220AB
二极管 / 晶体管晶闸管(可控硅) / 模块
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特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入正偏置。 几乎完全消除寄生效应。 仅需设置开/关条件即可操作,使设备设计更简单
R+O(宏嘉诚)SOT-23
二极管 / 晶体管数字晶体管
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特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入正偏置。 几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作,便于设备设计
R+O(宏嘉诚)SOT-523
二极管 / 晶体管数字晶体管
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特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入正偏置,几乎完全消除寄生效应。仅需设置开/关条件即可操作,便于设备设计
R+O(宏嘉诚)SOT-723
二极管 / 晶体管数字晶体管
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特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入正偏置。几乎完全消除寄生效应。只需设置开/关条件即可操作,便于设备设计
R+O(宏嘉诚)SOT-23
二极管 / 晶体管数字晶体管
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特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作,便于设备设计
CJ(江苏长电/长晶)SOT-23
二极管 / 晶体管数字晶体管
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NPN,Vceo=50V,Ic=100mA
Nexperia(安世)SOT-23
二极管 / 晶体管数字晶体管
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Nexperia(安世)SOT-23
二极管 / 晶体管数字晶体管
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预偏置
Nexperia(安世)SC-70
二极管 / 晶体管数字晶体管
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特性:内置偏置电阻,R1 = 4.7kΩ,R2 = 47kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 仅需设置开/关条件即可操作,使电路设计更简单。 互补PNP类型。应用:反相器。 接口
ROHM(罗姆)SOT-416FL
二极管 / 晶体管数字晶体管
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NPN 电阻型晶体管(RET)系列,采用表面贴装器件(SMD)塑料封装。
Nexperia(安世)SOT-23
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Nexperia(安世)SOT-23
二极管 / 晶体管数字晶体管
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PNP电阻式晶体管,采用小型表面贴装器件(SMD)塑料封装。
Nexperia(安世)SOT-23
二极管 / 晶体管数字晶体管
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特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 仅需设置开/关条件即可操作,便于设备设计
CJ(江苏长电/长晶)SOT-523
二极管 / 晶体管数字晶体管
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特性:一个封装中包含两个DTC143T芯片。 晶体管元件相互独立,消除干扰。 可将安装成本和面积减半
CJ(江苏长电/长晶)SOT-363
二极管 / 晶体管数字晶体管
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特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置逆变器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。仅需设置开/关条件即可操作,便于设备设计
CJ(江苏长电/长晶)SOT-23
二极管 / 晶体管数字晶体管
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采用小型表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN带阻晶体管(RET)系列。
Nexperia(安世)SOT-23
二极管 / 晶体管数字晶体管
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此系列数字晶体管用于替代一个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络;一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中,因此不再需要这些外部组件。使用 BRT 可以同时降低系统成本和板空间。
onsemi(安森美)SOT-23
二极管 / 晶体管数字晶体管
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500 mA NPN 带电阻晶体管(RET)系列。
Nexperia(安世)SOT-23
二极管 / 晶体管数字晶体管
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