海量元器件型号，
快速搜索匹配。

特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作,便于设备设计。应用:逆变器。 接口

此系列数字晶体管用于替代一个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络;一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中,因此不再需要这些外部组件。使用 BRT 可以同时降低系统成本和板空间。

PNP 配备电阻的晶体管,采用无铅超小 DFN1006B-3 (SOT883B) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。NPN 互补型号为 PDTC114EMB。

NPN电阻型晶体管,R1 = 10kΩ,R2 = 47kΩ。NPN电阻型晶体管(RET)系列采用表面贴装器件(SMD)塑料封装。

公开页面暂无产品说明。

集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):100mA 耗散功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE):100@10mA,5V

公开页面暂无产品说明。

NPN/NPN 配备电阻的双晶体管 (RET),采用非常小的 SOT363 (SC-88) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

这款数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管(BRT)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中,消除了这些组件。使用BRT可以降低系统成本和节省电路板空间。该器件采用SOT-23封装,适用于低功率表面贴装应用。

公开页面暂无产品说明。

这款全新系列的数字晶体管旨在替代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT(偏置电阻晶体管)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管,这两个电阻分别是基极串联电阻和基极 - 发射极电阻。BRT 通过将这些分立元件集成到单个器件中,从而省去了这些元件

NPN电阻式晶体管(封装详情见“简化外形、符号和引脚图”)。

此系列数字晶体管用于替代一个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络;一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中,因此不再需要这些外部组件。使用 BRT 可以同时降低系统成本和板空间。

特性:内置偏置电阻。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,还具有完全消除寄生效应的优点。 仅需设置开/关条件即可操作,使电路设计变得容易。 互补PNP类型。 无铅/符合RoHS标准。应用:开关电路。 反相器电路

特性:外延平面芯片结构。 提供互补PNP类型(DDA)。 内置偏置电阻。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 DDC(XXXX)UQs适用于需要特定变更控制的汽车应用,这些部件符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,并在通过IATF 16949认证的工厂生产

公开页面暂无产品说明。

采用小型SOT23(TO - 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN带电阻晶体管(RET)。PNP互补型号:PDTB143ET

这款数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管(BRT)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中,消除了这些组件。使用BRT可以降低系统成本和节省电路板空间。该器件采用SOT-23封装,适用于低功率表面贴装应用。

特性:内置偏置电阻。 简化电路设计。 减少零件数量和制造工艺。应用:开关应用。 接口电路和驱动电路应用

这款数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管(BRT)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中,消除了这些组件。使用BRT可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用SC-70/SOT-323封装,专为低功率表面贴装应用而设计。