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二极管 / 晶体管型号

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特性:塑料封装符合UL 94V-0阻燃等级。 金属硅结,多数载流子传导。 低功耗,高效率。 高正向浪涌电流能力。 保证高温焊接:250°C/10秒,引脚长度0.375英寸(9.5mm),拉力5磅(2.3kg)

MDD(辰达半导体)DO-201AD
二极管 / 晶体管肖特基二极管
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特性:适用于表面贴装应用。 高正向浪涌电流能力。 低功耗,高效率。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最高峰值为260°C。应用:用于低压高频逆变器。 续流

R+O(宏嘉诚)SMC
二极管 / 晶体管肖特基二极管
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肖特基二极管适用于电源转换、高频整流及大电流电路保护场合。

GOODWORK(固得沃克)TO-252
二极管 / 晶体管肖特基二极管
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特性:适用于表面贴装应用。 高正向浪涌电流能力。 高可靠性。 高电流能力。应用:低压高频逆变器。 续流

R+O(宏嘉诚)TO-252
二极管 / 晶体管肖特基二极管
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特性:极快的开关速度

晶导微电子SOT-23
二极管 / 晶体管肖特基二极管
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公开页面暂无产品说明。

FOSAN(富捷/富信)SOT-23
二极管 / 晶体管肖特基二极管
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适用于低压、大电流整流场合,如开关电源、高频电路及高效能电子设备设计,小型化封装利于紧凑布局。

JSMSEMI(杰盛微)SMA(DO-214AC)
二极管 / 晶体管肖特基二极管
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特性:高电流能力。 低正向压降。 低反向电流。应用:用于低电压、高频逆变器。 高浪涌电流能力

DOWO(东沃)SOD-323
二极管 / 晶体管肖特基二极管
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特性:VR = 45V。 I(AV) = 0.1A。 功率耗散为200mW。 低电压,低电感。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260°C。应用:用于低电压高频电路信号

R+O(宏嘉诚)SOD-323
二极管 / 晶体管肖特基二极管
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特性:金属硅结,多数载流子传导。 过压保护。 低功耗,高效率。 高电流能力。 低正向压降。 高浪涌能力。 适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用

晶导微电子SOD-123F
二极管 / 晶体管肖特基二极管
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肖特基二极管适用于电源转换、高频整流及大电流电路保护场合。

Zhengxin(正芯)SOD-123FL
二极管 / 晶体管肖特基二极管
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特性:塑料封装符合UL 94V-0阻燃等级。 适用于表面贴装应用。 金属硅结,多数载流子传导。 低功耗,高效率。 内置应力消除,适合自动贴装。 高正向浪涌电流能力。 保证高温焊接:260°C/10秒(引脚)

MDD(辰达半导体)SMAF
二极管 / 晶体管肖特基二极管
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肖特基二极管适用于电源转换、高频整流及大电流电路保护场合。

Zhengxin(正芯)SMA
二极管 / 晶体管肖特基二极管
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采用SOD882无引脚超小型塑料封装的平面肖特基势垒二极管。

Nexperia(安世)DFN1006-2
二极管 / 晶体管肖特基二极管
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特性:反向电压(VR):40V。 最大平均正向整流电流(IF(AV)):0.2A。 功率耗散:150mW。 快速开关速度。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值260°C。应用:用于低电压高频电路信号

R+O(宏嘉诚)SOD-523
二极管 / 晶体管肖特基二极管
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直流反向耐压(Vr):20V 平均整流电流(Io):500mA 正向压降(Vf):450mV@500mA 20V,0.5A,VF=0.45V@0.5A

TWGMC(迪嘉)SOD-123
二极管 / 晶体管肖特基二极管
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肖特基二极管适用于电源转换、高频整流及大电流电路保护场合。

Zhengxin(正芯)SMAF
二极管 / 晶体管肖特基二极管
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特性:塑料封装符合UL 94V-0阻燃等级。 适用于表面贴装应用。 金属硅结,多数载流子传导。 低功耗,高效率。 内置应力释放,适合自动贴装。 高正向浪涌电流能力。 保证高温焊接:250°C/10秒(引脚处)

MDD(辰达半导体)SMA(DO-214AC)
二极管 / 晶体管肖特基二极管
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特征:反向电压200V,正向电流1A、正向压降≤0.92V@1A,SOD-123封装;功能:电路整流与续流;应用:工业电源,辅助电路,LED驱动器等

AnBon(安邦)SOD-123
二极管 / 晶体管肖特基二极管
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特性:塑料封装符合UL 94V-0阻燃等级。 适用于表面贴装应用。 金属硅结,多数载流子传导。 低功耗,高效率。 内置应力消除,适合自动贴装。 高正向浪涌电流能力。 保证高温焊接:端子在250°C下可承受10秒。 符合RoHS指令2011/65/EU

FUXINSEMI(富芯森美)SMA(DO-214AC)
二极管 / 晶体管肖特基二极管
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